[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，划分为多个像素区，每一所述像素区均设置有像素薄膜晶体管，其特征在于，至少部分所述像素区内设置有压力组件和压力薄膜晶体管，所述压力薄膜晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述压力组件与所述压力薄膜晶体管的第一极或控制极连接；

并且，所述像素薄膜晶体管的至少部分层结构与所述压力薄膜晶体管的对应层结构同层设置，所述压力组件包括依次层叠设置的接触电极、压力感测层和偏置电极，所述接触电极与所述压力薄膜晶体管的第一极或控制极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素薄膜晶体管的有源层与所述压力薄膜晶体管的有源层同层设置、且具有相同的图形，所述像素薄膜晶体管的第一极、第二极与所述压力薄膜晶体管的第一极、第二极同层设置、且分别具有相同的图形，所述像素薄膜晶体管为顶栅结构，所述压力薄膜晶体管为底栅结构。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述压力组件中，所述接触电极为图案化结构，所述接触电极还共用为所述压力薄膜晶体管的栅极。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述压力薄膜晶体管中还包括遮光金属块，所述遮光金属块与所述像素薄膜晶体管的栅极同层设置，用于避免所述压力薄膜晶体管的有源层受光的遮光金属块。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在对应着所述像素薄膜晶体管的有源层的区域，所述偏置电极形成开口。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素薄膜晶体管和所述压力薄膜晶体管具有相同的层结构分布，所述像素薄膜晶体管为底栅结构，所述压力薄膜晶体管为底栅结构；

或者，所述像素薄膜晶体管为顶栅结构，所述压力薄膜晶体管为顶栅结构；

或者，所述像素薄膜晶体管为底栅结构，所述压力薄膜晶体管为顶栅结构；

或者，所述像素薄膜晶体管为顶栅结构，所述压力薄膜晶体管为底栅结构。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述偏置电极和/或所述压力感测层为面状结构，或者为网格状结构。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示组件，所述显示组件与所述像素薄膜晶体管的第二极连接，所述显示组件和所述压力组件分别位于所述像素薄膜晶体管的有源层的两侧或同侧。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示组件至少包括发光层，所述发光层与所述压力感测层同层设置，所述显示组件的阴极共用为所述压力组件的偏置电极。

11.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板划分为多个像素区，所述方法包括在每一所述像素区均设置有像素薄膜晶体管的步骤，其特征在于，还包括在至少部分所述像素区内形成压力传感器的步骤，所述压力传感器包括压力组件和压力薄膜晶体管，所述压力薄膜晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述压力组件与所述压力薄膜晶体管的第一极或控制极连接；

其中：所述像素薄膜晶体管的至少部分层结构与所述压力薄膜晶体管的对应层结构同层设置、且在同一构图工艺中形成，

所述压力组件包括依次层叠设置的接触电极、压力感测层和偏置电极，所述接触电极与所述压力薄膜晶体管的第一极或控制极连接。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8-10任一项所述的显示面板。