[发明专利]顶发射型OLED面板的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(1)并清洗，在所述衬底基板(1)上沉积第一金属层并进行图案化处理，在对应欲制作出薄膜晶体管的区域形成遮光层(21)，在对应欲制作出OLED的区域形成反光层(22)；

步骤S2、在所述衬底基板(1)、遮光层(21)、及反光层(22)上沉积缓冲层(3)；

步骤S3、在所述缓冲层(3)上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理，形成氧化物半导体层(4’)；

步骤S4、在所述氧化物半导体层(4’)与缓冲层(3)上依次沉积绝缘薄膜(5’)、与第二金属层(6’)；

步骤S5、先对所述第二金属层(6’)进行图案化处理，形成栅极(6)，再以所述栅极(6)为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜(5’)，形成位于所述栅极(6)下方的栅极绝缘层(5)；所述栅极(6)与栅极绝缘层(5)遮挡部分氧化物半导体层(4’)，暴露出氧化物半导体层(4’)的两侧；

步骤S6、对所述氧化物半导体层(4’)进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层(4’)未被所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)遮挡的部分电阻降低，形成导体层(41)，而被所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区(42)；

步骤S7、在所述栅极(6)、导体层(41)、及缓冲层(3)上沉积层间绝缘层(7)并进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层(7)以分别暴露出导体层(41)部分表面的源极接触孔(71)、与漏极接触孔(72)；所述源极接触孔(71)与漏极接触孔(72)分别位于所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)的两侧；

步骤S8、在所述层间绝缘层(7)上沉积第三金属层并进行图案化处理，形成源极(81)、及漏极(82)，所述源极(81)经由所述源极接触孔(71)接触所述导体层(41)，所述漏极(82)经由所述漏极接触孔(72)接触所述导体层(41)；

所述源极(81)、漏极(82)、栅极(6)、栅极绝缘层(5)、与所述源极(81)接触的导体层(41)部分、与所述漏极(82)接触的导体层(41)部分、及半导体沟道区(42)构成薄膜晶体管(T)；

步骤S9、在所述源极(81)、漏极(82)、及层间绝缘层(7)上沉积钝化层(9)并进行图案化处理，形成贯穿所述钝化层(9)与层间绝缘层(7)而暴露出所述导体层(41)部分表面的像素定义孔(97)；

步骤S10、以所述导体层(41)作为阳极在所述像素定义孔(97)内喷墨打印出OLED发光层(10)；

步骤S11、在所述OLED发光层(10)与钝化层(9)上沉积透明金属阴极(11)；

所述作为阳极的导体层(41)、OLED发光层(10)、与透明金属阴极(11)构成OLED(D)。

2.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中第一金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的合金，厚度为

3.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中缓冲层(3)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

4.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中氧化物半导体薄膜的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的一种，厚度为

5.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中绝缘薄膜(5’)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

6.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中第二金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的合金，厚度为

7.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中层间绝缘层(7)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

8.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S8中第三金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的合金，厚度为

9.如权利要求1所述的顶发射型OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S9中钝化层(9)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

10.一种顶发射型OLED面板结构，其特征在于，包括：

衬底基板(1)；

设在所述衬底基板(1)上的遮光层(21)；

设在所述衬底基板(1)上与遮光层(21)同层的反光层(22)；

覆盖所述遮光层(21)、反光层(22)、及衬底基板(1)的缓冲层(3)；

于所述遮光层(21)上方设在所述缓冲层(3)上的半导体沟道区(42)、及分别连接所述半导体沟道区(42)两侧的导体层(41)；

覆盖所述半导体沟道区(42)的栅极绝缘层(5)；

覆盖所述栅极绝缘层(5)的栅极(6)；

设在所述栅极(6)、导体层(41)、及缓冲层(3)上的层间绝缘层(7)，所述层间绝缘层(7)具有贯穿该层间绝缘层(7)以分别暴露出导体层(41)部分表面的源极接触孔(71)、与漏极接触孔(72)，所述源极接触孔(71)与漏极接触孔(72)分别位于所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)的两侧；

设在所述层间绝缘层(7)上的源极(81)、与漏极(82)，所述源极(81)经由所述源极接触孔(71)接触所述导体层(41)，所述漏极(82)经由所述漏极接触孔(72)接触所述导体层(41)；

设在所述源极(81)、漏极(82)、及层间绝缘层(7)上的钝化层(9)；所述钝化层(9)与层间绝缘层(7)具有贯穿该钝化层(9)与层间绝缘层(7)而暴露出所述导体层(41)部分表面的像素定义孔(97)；

设在所述像素定义孔(97)内且以所述导体层(41)为阳极的OLED发光层(10)；

以及设在所述OLED发光层(10)与钝化层(9)上的透明金属阴极(11)；

所述源极(81)、漏极(82)、栅极(6)、栅极绝缘层(5)、与所述源极(81)接触的导体层(41)部分、与所述漏极(82)接触的导体层(41)部分、及半导体沟道区(42)构成薄膜晶体管(T)；

所述作为阳极的导体层(41)、OLED发光层(10)、与透明金属阴极(11)构成OLED(D)。