[发明专利]底发射型白光OLED面板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种底发射型白光OLED面板的制作方法及其结构。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器。

其中，OLED面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

现有的OLED面板通常包括：基板、置于基板上只作阳极之用的ITO薄膜、置于ITO阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极，为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。

目前，OLED面板的制作有两种技术路线：一种是红绿蓝(Red、Green、Blue，RGB)三基色OLED发光，其优点是工艺简单成熟，操作简便.但由于在制备高分辨率显示屏时需要高精度掩膜及精确的对位，导致产能较低、成本较高，而且由于RGB三基色OLED的寿命、激发率以及衰减度相差较大，容易造成OLED面板的色偏。

另一种是白光OLED技术，不需要掩膜对位，通常采用底发射型发光方式，极大地简化了蒸镀过程，能够用于制备大尺寸高分辨率OLED面板。

然而，现有的底发射型白光OLED往往需要偏光片(Polarizer)，且各结构层的数量较多，例如遮光层、平坦层、像素定义层等，加上由单独的一道黄光制程来专门制作阳极，现有的底发射型白光OLED的制作方法需要较多的光罩数目，较繁杂的工序，制备成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种底发射型白光OLED面板的制作方法，能够简化工序，减少黄光制程道数，节省光罩数量，降低制作成本。

本发明的另一目的在于提供一种底发射型白光OLED面板结构，其结构简单，制作成本低。

为实现上述目的，本发明首先提供一种底发射型白光OLED面板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供衬底基板并清洗，在所述衬底基板上依次沉积红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻，形成彩膜层；

步骤S2、在所述彩膜层上沉积缓冲层；

步骤S3、在所述缓冲层上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理，形成氧化物半导体层；

步骤S4、在所述氧化物半导体层与缓冲层上依次沉积绝缘薄膜、与第一金属层；

步骤S5、先对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极，再以所述栅极为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜，形成位于所述栅极下方的栅极绝缘层；所述栅极与栅极绝缘层遮挡部分氧化物半导体层，暴露出氧化物半导体层的两侧；

步骤S6、对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区；

步骤S7、在所述栅极、导体层、及缓冲层上沉积层间绝缘层并进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层以分别暴露出导体层部分表面的源极接触孔、漏极接触孔、及像素定义孔；所述源极接触孔与漏极接触孔分别位于所述栅极及栅极绝缘层的两侧，所述像素定义孔靠近所述源极接触孔；

步骤S8、在所述层间绝缘层上沉积第二金属层并进行图案化处理，形成源极、及漏极，所述源极经所述源极接触孔接触所述导体层，所述漏极经所述漏极接触孔接触所述导体层；

所述源极、漏极、栅极、栅极绝缘层、与所述源极接触的导体层部分、与所述漏极接触的导体层部分、及半导体沟道区构成薄膜晶体管；

步骤S9、在所述源极、漏极、及层间绝缘层上沉积钝化层并进行图案化处理，形成暴露出所述像素定义孔的通孔；

步骤S10、以所述导体层为阳极在所述像素定义孔内沉积白光OLED发光层；

步骤S11、在所述白光OLED发光层与钝化层上沉积金属阴极。

所述步骤S2中缓冲层的材料为氧化硅、或氮化硅，厚度为

所述步骤S3中氧化物半导体薄膜的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的一种，厚度为

所述步骤S4中绝缘薄膜的材料为氧化硅、或氮化硅，厚度为