[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括位于衬底基板上的若干阵列排列的像素单元，每一所述像素单元包括一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括多晶硅有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道的长度延伸方向与预设方向平行；

所述预设方向为形成所述多晶硅有源层时采用的准分子激光束的扫描方向。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于同一列所述像素单元中的所述薄膜晶体管呈错位排列。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，位于同一行所述像素单元中的所述薄膜晶体管呈错位排列。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅有源层的截面呈S型，或呈Z字形。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置，或为有机电致发光显示装置。

8.一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述制作薄膜晶体管的方法包括制作多晶硅有源层的方法，具体包括：

在衬底基板上形成一层非晶硅层，采用构图工艺形成第一非晶硅层和第二非晶硅层，所述第一非晶硅层的位置对应薄膜晶体管的沟道位置；

同时对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层采用准分子激光束进行退火处理，形成第一多晶硅有源层和第二多晶硅有源层；其中：所述第一非晶硅层在预设方向上的延伸方向与所述准分子激光束的扫描方向平行。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述同时对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层采用准分子激光束进行退火处理之前，还包括：

在400℃到450℃的温度下，对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层进行0.5小时到3小时的加热处理。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述采用准分子激光束进行退火处理时，激光的脉冲频率为250HZ到350HZ，重叠率为92％到98％，扫描速率为2.4mm/s到9.6mm/s，能量密度为300mJ/cm²到500mJ/cm²。