[发明专利]阵列基板和液晶显示面板在审
申请号: | 201710468772.1 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107132711A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 液晶显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)通过像素电极和公共电极之间的电场变化来实现液晶分子的偏转,从而达到显示效果。如图1所示,LCD通过扫描线11开启各个像素区域12的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管),通过数据线13为各个像素区域12的像素电极施加灰阶电压,以及通过公共电极走线14为公共电极提供公共电压,其中,扫描线11、数据线13和公共电极走线14分别连接有ESD(Electro-Static discharge,静电放电元件)15,以对LCD的显示驱动电路进行静电放电保护。进一步结合图2所示,公共电极走线14包括两条公共电极总线141和多条公共电极支线142,两条公共电极总线141之间通过连接总线143连接,任意相邻两条公共电极支线142平行间隔设置,每一条公共电极支线142的两端分别与两条公共电极总线141连接,并从公共电极总线141接收公共电压。受限于线路阻抗,每条公共电极支线142中越是远离公共电极总线141的部分所接收到的公共电压越小,从而导致公共电压驱动的均匀性较差,影响LCD的显示品质。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种阵列基板和液晶显示面板,提高公共电压驱动的均匀性,改善显示品质。
本发明一实施例的阵列基板,包括显示区和非显示区:
所述显示区包括多条数据线和
与多条数据线相交的多条扫描线,多条扫描线和多条数据线相交限定阵列基板的多个像素区域;
所述显示区包括两条与数据线平行设置的第一公共电极总线,两条第一公共电极总线分设于多个像素区域的两侧;
所述显示区还包括:
至少一条与数据线平行设置的第二公共电极总线,显示区沿着扫描线的延伸方向划分为至少两个区域,每一第二公共电极总线位于相邻的两个所述区域之间;
多条与扫描线平行设置的公共电极支线,各条公共电极支线与第一公共电极总线和第二公共电极总线连接。
本发明一实施例的液晶显示面板,包括相对间隔设置的阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括显示区和非显示区,所述显示区包括多条数据线以及与多条数据线相交的多条扫描线,多条扫描线和多条数据线相交限定阵列基板的多个像素区域,所述非显示区包括两条与数据线平行设置的第一公共电极总线,两条第一公共电极总线分设于多个像素区域的两侧;
所述显示区还包括:
至少一条与数据线平行设置的第二公共电极总线,所述显示区沿着扫描线的延伸方向划分为至少两个区域,每一第二公共电极总线位于相邻的两个所述区域之间;
多条与扫描线平行设置的公共电极支线,各条公共电极支线与第一公共电极总线和第二公共电极总线连接。
有益效果:本发明设计将阵列基板的显示区沿着扫描线的延伸方向划分为至少两个区域,并在相邻的两个区域之间设置一条第二公共电极总线,相当于在各条公共电极支线的中间连接了至少一条第二公共电极总线,缩短了公共电压在每条公共电极支线中的传输距离,从而减少线路阻抗,提高公共电压驱动的均匀性,改善显示品质。
附图说明
图1是现有技术中LCD的显示驱动电路的等效电路示意图;
图2是图1所示公共电极走线的示意图;
图3是本发明的液晶显示面板一实施例的结构示意图;
图4是本发明显示驱动电路一实施例的等效电路示意图;
图5是图4所示公共电极走线的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下,下述各个实施例以及实施例中的特征可以相互组合。
请参阅图3,为是本发明一实施例的液晶显示面板。所述液晶显示面板30包括相对间隔设置的彩膜基板(Color Filter Substrate,CF基板或彩色滤光片基板)31和阵列基板(Thin Film Transistor Substrate,TFT基板或Array基板)32以及填充于两基板之间的液晶分子33,该液晶分子33位于彩膜基板31和阵列基板32叠加形成的液晶盒内。
彩膜基板31设置有公共电极,该公共电极可以为一整面透明导电膜,例如ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)薄膜。
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