[发明专利]一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法

说明书

本发明设计太阳能电池领域，具体是一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法。一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法，在不改变整体折射率的前提下，镀了六层SiNx薄膜，薄膜由里到外，折射率依次递减，以进一步提高了可见光的吸收，达到更好的减反射效果。并在每次镀膜前添加一次预清理，预清理主要作用是用NH₃中的H离子钝化硅片表面，置换杂质，在每次镀膜前预清理可以有效的减少镀膜过程中的污染，并生成更纯净的SiN_x膜，有效防止烧结后银浆将SiNx膜中的杂质烧过PN结，从而使短路电流得到很大提升。

技术领域

本发明设计太阳能电池领域，具体是一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法。

背景技术

PECVD工艺是在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅薄膜，从而充分吸收太阳光，降低反射，并且氮化硅膜有钝化的作用，保护电池片不受污染。为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射外，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何提供一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法，更好的减反射效果。

本发明所采用的技术方案是：一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法，按照如下的步骤进行

步骤一、使用臭氧生成机对经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅进行氧化，臭氧流量设定为500-1000L/h；

步骤二、使用 PECVD 在氧化硅膜上进行第一次预清理后，使用 PECVD 在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为1450-1500ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-60s, 处理温度为350-450℃；

步骤二、使用 PECVD 在第一层氮化硅膜上进行第二次预清理后，使用 PECVD 在第一层氮化硅膜上制作第二层氮化硅膜，其中氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为1350-1450ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s, 处理温度为 350-450℃；

步骤三、使用 PECVD 在第二层氮化硅膜上进行第三次预清理后，使用 PECVD 在第二层氮化硅膜上制作第三层氮化硅膜，其中氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为1300-1350ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s, 处理温度为 350-450℃；

步骤四、使用 PECVD 在第三层氮化硅膜上进行第四次预清理后，使用 PECVD 在第三层氮化硅膜上制作第四层氮化硅膜，其中氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为1250-1300ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s, 处理温度为 350-450℃；

步骤五、使用 PECVD 在第四层氮化硅膜上进行第五次预清理后，使用 PECVD 在第四层氮化硅膜上制作第五层氮化硅膜，其中氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为1200-1250ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s, 处理温度为 350-450℃；

步骤六、使用 PECVD 在第五层氮化硅膜上进行第六次预清理后，使用 PECVD 在第五层氮化硅膜上制作第六层氮化硅膜，其中氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为3-6L/min、硅烷流量为1200-1250ml/min，压力1000-2000mTorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s, 处理温度为 350-450℃。