[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

向被处理体供给含有硅的成膜气体，来在形成于该被处理体的表面的凹部内形成硅膜；

接着，向所述被处理体供给包含卤素气体和粗糙抑制气体的处理气体，所述卤素气体用于对所述硅膜进行蚀刻，所述粗糙抑制气体用于抑制被该卤素气体蚀刻后的硅膜的表面粗糙；

蚀刻工序，加热该处理气体使其活性化，对形成于所述凹部的侧壁的所述硅膜进行蚀刻来扩大该凹部的开口宽度；以及

然后，向所述被处理体供给所述成膜气体，使硅堆积于残留在所述凹部内的所述硅膜上，来对该凹部内填充硅，

其中，所述粗糙抑制气体是由氢和卤素构成的化合物，通过加热后的所述粗糙抑制气体对硅膜产生作用、或者所述粗糙抑制气体被加热而产生的氢自由基与从所述卤素气体产生的卤素自由基发生反应所生成的反应产物对硅膜产生作用，来抑制被所述卤素气体蚀刻后的硅膜的表面粗糙。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述卤素气体是氯气。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述蚀刻工序包含将所述被处理体加热至250℃～450℃的工序。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述处理气体中，以所述粗糙抑制气体的流量/所述卤素气体的流量为1/4以上的方式包含该粗糙抑制气体和卤素气体。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述粗糙抑制气体是溴化氢气体。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过所述蚀刻工序蚀刻后的所述硅膜的表面的雾度值/将构成所述处理气体的卤素气体和粗糙抑制气体中的仅所述卤素气体供给至所述被处理体来进行所述蚀刻工序时的所述硅膜的表面的雾度值为0.8以下。

7.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：

真空容器，其用于收纳被处理体；

加热部，其对所述被处理体进行加热；

成膜气体供给部，其向处理容器内供给含有硅的成膜气体；

蚀刻气体供给部，其向所述处理容器内供给用于对硅膜进行蚀刻的卤素气体；

粗糙抑制气体供给部，其供给粗糙抑制气体，该粗糙抑制气体用于抑制被该卤素气体蚀刻后的硅膜的表面粗糙；以及

控制部，其输出控制信号以实施以下步骤：向被处理体供给所述成膜气体，来在形成于该被处理体的表面的凹部内形成硅膜；接着，向所述被处理体供给包含所述卤素气体和所述粗糙抑制气体的处理气体；蚀刻步骤，加热该处理气体使其活性化，对形成于所述凹部的侧壁的所述硅膜进行蚀刻来扩大该凹部的开口宽度；然后，向所述被处理体供给所述成膜气体，使硅堆积于残留在所述凹部内的所述硅膜上，来对该凹部内填充硅，

其中，所述粗糙抑制气体是由氢和卤素构成的化合物，通过加热后的所述粗糙抑制气体对硅膜产生作用、或者所述粗糙抑制气体被加热而产生的氢自由基与从所述卤素气体产生的卤素自由基发生反应所生成的反应产物对硅膜产生作用，来抑制被所述卤素气体蚀刻后的硅膜的表面粗糙。