[发明专利]用PECVDSiO2钝化保护制造铟镓锌氧化物和氧化锌薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成薄膜晶体管的方法，包括:

在薄膜晶体管中的基板上沉积有源层；

在所述有源层上形成源极电极和漏极电极，其中所述有源层的一部分暴露；以及

利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述有源层上沉积一个或更多钝化层。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述有源层包括选自由氧化锌、铟镓锌氧化物及其组合所组成的群组的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中在约150摄氏度和约270摄氏度之间的温度下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中在约0.083W/cm²和约1.0W/cm²之间的功率密度下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

6.如权利要求5所述的方法，其中在约0.8托耳和约2.5托耳之间的压力下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是N₂O等离子体或O₂等离子体。

8.一种形成薄膜晶体管的方法，包括:

在基板上沉积有源层；

在所述有源层上沉积导电层；

对所述导电层进行图案化以形成源极电极和漏极电极，其中所述有源层的一部分暴露；以及

利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述有源层上沉积一个或更多钝化层。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述有源层包括选自由氧化锌、铟镓锌氧化物及其组合所组成的群组的材料。

11.如权利要求8所述的方法，其中在约150摄氏度和约270摄氏度之间的温度下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

12.如权利要求11所述的方法，其中在约0.083W/cm²和约1.0W/cm²之间的功率密度下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中在约0.8托耳和约2.5托耳之间的压力下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是N₂O等离子体或O₂等离子体。

15.一种形成薄膜晶体管的方法，包括:

在基板上形成栅极电极；

在所述栅极电极和所述基板上沉积栅极介电层；

在所述栅极介电层上沉积铟镓锌氧化物有源层；

在所述有源层上沉积导电层；

移除所述导电层的至少一部分以形成源极电极和漏极电极且以便通过暴露所述有源层的一部分来形成有源沟道；

利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分来形成经等离子体处理的有源沟道；以及

在所述经等离子体处理的沟道上沉积一个或更多钝化层或蚀刻停止层。

16.如权利要求15所述的方法，其中在约150摄氏度和约270摄氏度之间的温度下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

17.如权利要求16所述的方法，其中在约0.083W/cm²和约1.0W/cm²之间的功率密度下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

18.如权利要求17所述的方法，其中在约0.8托耳和约2.5托耳之间的压力下，利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。

19.如权利要求15所述的方法，其中所述等离子体是N₂O等离子体或O₂等离子体。

20.如权利要求15所述的方法，其中所述一个或更多钝化层或蚀刻停止层包括TiO₂或氧化硅。