[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件

说明书

一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分；以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外，该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分，以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外，该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面：去除多个非半导体材料部分中的至少子集，而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分；或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分，而保留多个非半导体材料部分。

技术领域

本发明实施方案涉及用于半导体器件的背侧接触的构思，尤其涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。

背景技术

例如，垂直功率技术例如功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)需要在背侧处的良好的附着。大规模生产中没有优化的附着可能意味着由于金属剥离或甚至电场中的过电应力而导致的良品率降低。

发明内容

可能需要为半导体器件提供改进的构思，其可以允许增加的制造良品率和/或减少数量的不良器件。

这样的要求可以由权利要求的主题来满足。

一些实施方案涉及用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分；以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将该多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外，该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分以在半导体器件的背侧处露出所述多个非半导体材料部分。另外，该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面：去除所述多个非半导体材料部分中的至少一子集，而保留半导体材料的侧向地位于所述多个非半导体材料之间的至少一部分；或者去除半导体材料的侧向地位于所述多个非半导体材料之间的至少一部分，而保留所述多个非半导体材料部分。此外，该方法包括在粗糙表面处形成背侧金属化结构。

一些实施方案涉及半导体器件，该半导体器件包括位于半导体衬底的前侧的至少一个电元件结构。所述至少一个电元件结构被配置成在所述电元件结构的导通状态下在所述半导体衬底的前侧和所述半导体衬底的背侧之间传导电流。此外，半导体器件包括位于半导体衬底的背侧表面处的多个非半导体材料部分。背侧表面的侧向地位于所述多个非半导体材料部分之间的部分与所述多个非半导体材料部分中的具有距半导体衬底的背侧表面最大垂直距离的表面部分的垂直距离大于200nm。此外，所述多个非半导体材料部分包括的电阻低于半导体衬底的部分的电阻。此外，半导体器件包括背侧金属化结构，该背侧金属化结构被布置成接触所述多个非半导体材料部分以及半导体衬底的背侧表面的侧向地位于所述多个非半导体材料部分之间的部分。

一些实施方案涉及半导体器件，该半导体器件包括位于半导体衬底的前侧的至少一个电元件结构。半导体衬底的背侧表面的至少粗糙部分包括沿着至少一个侧向方向重复的凸台(plateaus)和沟槽。此外，沟槽包括基本垂直的侧壁，并且沟槽的深度大于200nm。此外，半导体器件包括：背侧金属化结构，其被布置成接触半导体衬底的背侧表面的至少粗糙部分；以及电连接到背侧金属化结构的引线框或印刷电路板。

附图说明

以下仅通过示例的方式并且参照附图来描述装置和/或方法的一些实施方案，其中：

图1示出了形成半导体器件的方法的流程图；

图2、图3A、图3B、图4A、图4B和图4C示出了在不同制造阶段的半导体器件的部分的示意性截面；

图5示出了半导体器件的示意性截面；以及

图6示出了另一半导体器件的示意性截面图。

具体实施方式