[发明专利]改进排布方式的金属键合点阵列和具该阵列的半导体器件

权利要求书

1.一种改进排布方式的金属键合点阵列的半导体器件,由顶层为介质层和金属键合点的两片硅片混合键合组成，所述金属键合点形成节距相同的阵列均匀分布于所述硅片表面；混合键合时，两片硅片面面相对，上下堆叠，各硅片阵列内的金属键合点一一对应，彼此接触，其特征在于，所述每个硅片的阵列内金属键合点大小不一，在介质层表面交错地间隔排布，键合的两硅片之间的阵列排布彼此对应，使得上一片硅片的大键合点在阵列中的位置对应下一片硅片的小键合点在阵列中的位置，上一片硅片的小键合点则对应下一片硅片的大键合点，从而确保键合后的接触面积恒定。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述两片硅片大小相同。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上下堆叠的两片硅片混合键合时位置可以上下互换。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属键合点节距范围为：500nm-5000nm。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述每个硅片的阵列内金属键合点分大键合点和小键合点两类，并按大、小交错地间隔排布。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述交错地间隔排布的大、小金属键合点，其大键合点的边长为1/2的节距与混合键合设备套准精度之和，所述小键合点的边长为1/2的节距与混合键合设备套准精度之差。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述混合键合设备的套准精度为其套准误差3sigma统计值，范围为：50nm-500nm。

8.如权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于，所述交错地间隔排布是指每个大键合点的周围均为小键合点，反之亦然。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的顶层介质层由厚度范围为400nm到4000nm的二氧化硅膜，或二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等组合膜构成。