[发明专利]一种GaN纳米颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 201710471035.7 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107089646B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘昭铁;郎洋;陈建刚;宋健;罗群兴;刘忠文 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纳米 颗粒 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN纳米颗粒的制备方法，其特征在于：将硝酸镓和三聚氰胺按质量比为1:1～1:4充分研磨混合均匀后，先在惰性气氛下700～900℃焙烧1～4小时，然后在空气气氛中500～600℃焙烧1小时，冷却至室温，得到GaN纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的GaN纳米颗粒的制备方法，其特征在于：所述的硝酸镓和三聚氰胺的质量比为1:1～1:2。
3.根据权利要求1或2所述的GaN纳米颗粒的制备方法，其特征在于：在惰性气氛下800～850℃焙烧1～2小时。
4.根据权利要求3所述的GaN纳米颗粒的制备方法，其特征在于：在空气气氛中530～570℃焙烧1小时。
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