[发明专利]一种工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法在审
| 申请号： | 201710473732.6 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107292026A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吕伟锋;王光义;林弥;孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 杭州奥创知识产权代理有限公司33272 | 代理人： | 王佳健 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 参数 波动 引起 mosfet 性能 变化 估计 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法，其特征是：
通过HSPICE软件，设定MOSFET模型参数的其中一个或者多个变异参数，根据实际工艺技术水平，确定MOSFET模型参数的三个标准差大小，并进行1000次以上的蒙特卡罗仿真；
通过“LV”或“LX”变量，提取MOSFET器件阈值电压、栅电容，进而描述MOSFET器件性能参数及其变化；
在MATLAB软件中安装HSPICE Toolbox工具，将蒙特卡罗仿真产生的大量数据直接读取到MATLAB中；
将MOSFET器件性能参数及其变化信息通过MATLAB软件的HSPICE Toolbox工具，应用其统计工具箱dfittool命令读入，进行概率密度函数和累积概率函数拟合并表征。
2.根据权利要求1所述的工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法，其特征在于：对拟合的结果进行卡方检验、柯尔莫诺夫-斯米尔诺夫检验或秩和检验判断其统计拟合特性的正确性。
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