[发明专利]一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及触控屏生产领域，尤其涉及一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺。

背景技术

目前，智能手机、平板电脑等电子产品一般均采用触控屏，其生产工艺一般为在基板表面镀上ITO(氧化铟锡)导电层，并通过光刻等途径将ITO制成横向与纵向电极阵列，起感应作用，是式触控屏的触控核心部件。目前ITO图形制作普遍采用的是化学腐蚀的方法，ITO玻璃在蚀刻后，表面有ITO的区域的反射率和无ITO的区域的反射率相差较大，导致视觉反差明显，会在ITO传感器表面上看到ITO电极影，影响屏幕的整体显示效果和美观。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，而提供一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺。

本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

①对触控屏基板进行调质处理，调质温度设定为120℃～140℃，对触控屏基板进行热调质，调质时间20～30min；调质后，利用低压石英汞灯，对触控屏基板进行紫外线照射，并且采用抽风系统将照射区域气体排走；

②采用超声波对调质后的触控屏进行清洗；

③在触控屏基板的底面周边丝印油墨，形成油墨边框层，并对印有油墨的触控屏基板进行烘烤，所述油墨边框层围成视窗区；

④采用双靶中频反应磁控溅射的方法在触控屏基板衬底上分别镀上Nb₂O₅和SiO₂膜层作为消影层；

⑤采用直流磁控溅镀的方法，在Nb₂O₅和SiO₂膜层上镀一层ITO膜，采用的靶材是铟锡氧化物陶瓷靶，该ITO膜覆盖所述油墨边框层和视窗区；

⑥对所述ITO膜层进行蚀刻，形成ITO导电层；

⑦在导电膜层上压合柔性线路板。

特别的，所述步骤④中的SiO₂膜采用高纯度硅靶材，纯度为99.99％，Nb₂O₅膜采用的是纯度为99.9％的铌靶。

特别的，所述步骤⑤中铟锡氧化物陶瓷靶中In₂O₃和SnO₂的质量比为9：1，纯度为99.99％。

特别的，所述步骤④和所述步骤⑤中的镀膜过程中通入高纯氩气作为放电气体，通入高纯氧气作为反应气体。

特别的，所述触控屏基板为钠钙硅酸盐玻璃。

本发明的有益效果是：本发明在ITO膜层下方镀有由Nb₂O₅和SiO₂组成的膜层，通过Nb₂O₅和SiO₂的调节作用，使刻蚀之后的触控屏表面ITO区域和非ITO区域的反射率非常接近，以减弱视觉反差，达到消影目的，并且镀有消影层的ITO触控膜在可见光范围内透过率均匀性较好，有利于获得更好的显示效果。

附图说明

图1为本发明的ITO膜层与消影层的结构示意图；

图中：1-触控屏基板；2-Nb₂O₅膜层；3-SiO₂膜层；4-ITO膜层；

以下将结合本发明的实施例参照附图进行详细叙述。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明：

实施例1

如图1所示，一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

①对钠钙硅酸盐玻璃基板进行调质处理，调质温度设定为140℃，对触控屏基板进行热调质，调质时间30min；调质后，利用低压石英汞灯，对触控屏基板进行紫外线照射，并且采用抽风系统将照射区域气体排走；

②采用超声波对调质后的触控屏进行清洗；

③在触控屏基板的底面周边丝印油墨，形成油墨边框层，并对印有油墨的触控屏基板进行烘烤，所述油墨边框层围成视窗区；

④采用双靶中频反应磁控溅射的方法在触控屏基板衬底上分别镀上Nb₂O₅和SiO₂膜层作为消影层，SiO₂膜采用高纯度硅靶材，纯度为99.99％，Nb₂O₅膜采用的是纯度为99.9％的铌靶；