[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包含：

基板，具有一第一上表面以及多个侧表面；以及

半导体叠层，位于该第一上表面上；其中该半导体叠层具有一第二上表面相对于该第一上表面；

其中，该基板包含多个切割区域，该些切割区域形成一切割图案，该切割图案自该第一上表面延伸分布于该些侧表面其中的一个侧表面上，并占据该侧表面的部分面积，且该第二上表面至该些切割图案的深度介于5μm到50μm间。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二上表面至该切割图案的深度介于10μm到30μm间。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中该些切割区域的每一个具有一尖锐末端，相邻的该些尖锐末端相距1μm到10μm。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中该些相邻的切割区域的该尖锐末端的间距大致相同。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中该切割图案的剖面视图形成一波浪状图形。

6.如权利要求3所述的发光装置，其中该切割图案的上部为连续的。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个切割区域由照射一激光光束穿透该半导体叠层至该基板中所形成。

8.一种发光装置，包含：

基板，具有一第一上表面以及多个侧表面；以及

半导体叠层，位于该第一上表面上；其中该半导体叠层具有一第二上表面相对于该第一上表面；

其中，该基板包含多个切割区域，该些切割区域形成一切割图案，该切割图案自该第一上表面延伸分布于该些侧表面其中的一个侧表面上，并占据该侧表面的部分面积，每一切割区域的宽度介于5μm至100μm、厚度介于5μm至50μm，且相邻的任两个该切割区域间的距离介于5μm至100μm。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中该切割图案的剖面视图形成一阶梯状图形，且该半导体叠层的该第二上表面至该阶梯状图形的最高点的距离小于5μm。

10.如权利要求1或8所述的发光装置，其中该基板的材料包含蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)或砷化镓(GaAs)。