[发明专利]受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置

说明书

本发明的受光发光元件(1)具备：基板(2)、形成于基板(2)的上表面的发光元件(3a)、形成于基板(2)的上表面侧的受光元件(3b)、发光元件侧第一电极衬垫(31B)、接合于该第一电极衬垫(31B)的金属块(34)，发光元件侧第一电极衬垫(31B)以金属块(34)遮挡从发光元件(3a)发出且朝向受光元件(3b)的光的方式，经由绝缘层配置于基板(2)的上表面。

本申请为申请人于申请日2013年8月29日提交的、国际申请号为PCT/JP2013/073085、进入中国国家阶段的申请号为201380043214.0、发明名称为“受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种受光元件和发光元件配置在同一基板上的受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置。

背景技术

一直以来，提出了各种如下的传感器装置，其通过从发光元件向被照射物照射光，并由受光元件接受针对向被照射物入射的光的正反射光和漫反射光，由此对被照射物的特性进行检测。该传感器装置在广泛的领域内被利用，例如，在光断续器，光耦合器，遥控器单元，IrDA(Infrared DataAssociation)通信设备，光纤通信用装置、以及原稿尺寸传感器等涉及多方面的应用中被使用。

例如，如日本特开2007－201360号公报所记载的那样，使用在同一基板上分别配置发光元件以及受光元件，并设置有将受光区域和发光区域隔开的遮光壁的传感器装置。

然而，在这样的传感器装置中，发光元件发出的光直接向受光元件照射，因此存在难以提高传感器装置的传感检测性能的问题点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种传感检测性能高的受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置。

本发明的受光发光元件具备：由一导电型半导体构成的基板；在该基板的上表面上层叠包括一导电型半导体层和逆导电型半导体层的多个半导体层而成的发光元件；在所述基板的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区而成的受光元件；与所述基板、所述一导电型半导体层、所述逆导电型半导体层以及所述逆导电型半导体区的至少一个分别连接的至少一个电极衬垫；接合于该电极衬垫的上表面的金属块。在所述电极衬垫与所述基板连接的情况下，该至少一个所述电极衬垫以所述金属块遮挡从所述发光元件发出且朝向所述受光元件的光的方式，配置在所述发光元件与所述受光元件之间的所述基板的上表面，在所述电极衬垫与所述一导电型半导体层、所述逆导电型半导体层或者所述逆导电型半导体区连接的情况下，该至少一个所述电极衬垫以所述金属块遮挡从所述发光元件发出且朝向所述受光元件的光的方式，经由绝缘层配置在所述基板的上表面。

本发明的传感器装置为使用了上述受光发光元件的传感器装置，从所述发光元件向被照射物照射光，根据来自所述受光元件的输出电流对所述被照射物的位置信息、距离信息以及浓度信息中的至少一个进行检测，该来自所述受光元件的输出电流根据来自该被照射物的反射光而输出。

附图说明

图1(a)是表示本发明的受光发光元件的实施方式的一个例子的俯视图。图1(b)是沿着图1(a)的1I－1I线的简要剖视图。

图2(a)是构成图1所示的受光发光元件的发光元件的剖视图。图2(b)是构成图1所示的受光发光元件的受光元件的剖视图。

图3是表示使用了图1所示的受光发光元件的传感器装置的实施方式的一个例子的简要剖视图。

图4是表示图1所示的受光发光元件的第一变形例的主要部分俯视图。

图5是表示图1所示的受光发光元件的第二变形例的主要部分俯视图。

图6(a)是表示图1所示的受光发光元件的第三变形例的主要部分俯视图。图6(b)是表示图1所示的受光发光元件的第四变形例的主要部分俯视图。