[发明专利]用于制造半导体封装元件的半导体结构

权利要求书

1.一种用于防止半导体封装元件在制造时受到蚀刻工艺破坏的半导体结构，包括：

载板，用于在制造该半导体封装元件时提供支撑，该载板包括内层及外披覆层，该外披覆层形成该载板的第一载板表面及相对的第二载板表面并包覆该内层，该外披覆层的材质不相同于该内层的材质；

其中，该半导体封装元件包括绝缘层以及导线层，该绝缘层具有第一绝缘层表面邻接于该第一载板表面及相对的第二绝缘层表面，该导线层埋设于该第一绝缘层表面和该第二绝缘层表面之间并电性连接该第一绝缘层表面和该第二绝缘层表面；

其中，该外披覆层的蚀刻速率小于该内层的蚀刻速率。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该内层包括第一金属，该外披覆层包括第二金属。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一金属包括铁，该第二金属包括铜。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一金属为一合金，该第一金属还包括碳、镁、磷、硫、铬或镍。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一金属为一不锈钢合金。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该内层相对于该第一载板表面的该外披覆层的厚度比例大于10。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层的材质包括树脂材料及氧化硅填料。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导线层包括导电层，该导电层埋设于该绝缘层中并邻接于该第一载板表面的该外披覆层。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该导线层还包括阻障层，设于该第一载板表面与该导电层之间并邻接于该第一载板表面的该外披覆层，该阻障层的蚀刻速率小于该外披覆层的蚀刻速率。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该导线层还包括保护层，设于该第一载板表面与该阻障层之间并邻接于该第一载板表面的该外披覆层，该保护层的材质与该外披覆层的材质相同。