[发明专利]一种核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710475915.1 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107299319B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 周翔;姜炜;柯香 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 cuo al 纳米 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
第一步，利用真空物理气相沉积技术在基底上制备Cr过渡层及Cu薄膜；
第二步，将第一步得到的镀有Cr过渡层及Cu薄膜的基底置于NaOH浓度为3～4mol/L和(NH4)2S2O8浓度为0.15～0.2mol/L的混合液中，反应5～10min，经表面氧化处理得到具有一维纳米结构的Cu(OH)2薄膜材料；
第三步，将第二步得到的具有一维纳米结构的Cu(OH)2薄膜材料在空气气氛中经180～200℃热处理，得到具有一维纳米结构的CuO薄膜材料；
第四步，利用真空物理气相沉积技术，将纳米Al包覆至第三步得到的具有一维纳米结构的CuO薄膜材料，得到核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一步中，所述的基底为硅基底、玻璃基底或陶瓷基底，所述的真空物理气相沉积技术为磁控溅射技术或电子束蒸发技术。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一步中，所述的Cr过渡层厚度为20～30nm，所述的Cu薄膜厚度为500～1000nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第三步中，升温速率为3～5℃/min，保温时间4～6h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第四步中，所述的真空物理气相沉积技术为热蒸发技术或磁控溅射技术。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第四步中，Al薄膜厚度为1～2μm。
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