[发明专利]一种存储单元及存储器

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元至少包括：

一基材；

第一字线和第二字线，掩埋于所述基材内；

第一功函数墙和第二功函数墙，所述第一功函数墙设置于所述基材上并等电位连接所述第一字线，所述第二功函数墙设置于所述基材上并等电位连接所述第二字线，所述第一功函数墙的第一部位交叠在所述第一字线上，所述第二功函数墙的第二部位交叠在所述第二字线上，所述第一功函数墙与所述第二功函数墙为对称设置；

第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层形成于所述第一功函数墙的表面，所述第二栅介质层形成于所述第二功函数墙的表面；

有源层，沉积于所述基材上，所述有源层包含一形成于所述第一功函数墙和所述第二功函数墙之间并呈谷状凹陷的漏区、一延伸至所述基材上且在所述第一功函数墙的一外侧的第一源区、一延伸至所述基材上且在所述第二功函数墙的一外侧的第二源区，并且所述有源层顺从所述第一功函数墙和所述第二功函数墙的外形轮廓而覆盖于所述第一栅介质层和所述第二栅介质层，以立体膜层覆盖方式一体连接所述漏区在所述第一源区与所述第二源区之间；

第一介质层，覆盖于所述有源层上，所述漏区、所述第一源区与所述第二源区外露于所述第一介质层，所述第一介质层具有一在所述第一功函数墙和所述第二功函数墙之间的电极孔；

漏电极，设置于所述电极孔中并与所述漏区电接触；以及

位线，电接触所述漏电极。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述基材包含一衬底以及设置在所述衬底上的第二介质层，所述第一字线和第二字线被所述第二介质层相互隔开。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元更包括第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极穿过所述第一介质层而设置于所述第一字线上并与所述第一字线部分重合，所述第二栅电极穿过所述第一介质层而设置于所述第二字线上并与所述第二字线部分重合。

4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极的材质包括氮化钛(TiN)、钛硅化物(TiSi_x)、钴硅化物(CoSi_x)和镍硅化物(NiSi_x)的一种或多种的组合；所述第一栅电极和所述第二栅电极的电阻率介于2×10^-8Ω·m至1×10²Ω·m。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述有源层包括硅外延层或多晶硅层，且所述有源层的厚度介于3nm至2000nm之间。

6.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一功函数墙和所述第二功函数墙的材质包括氮化钛(TiN)或掺杂多晶硅，且所述第一功函数墙与所述有源层的第一隆起道区存在功函数差，所述第二功函数墙与所述有源层的第二隆起道区存在功函数差。

7.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层、所述第一栅介质层和所述第二栅介质层的材质包括氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)和氧化硅(SiO₂)的一种或多种的组合，且具有介于2×10¹¹Ω·m至1×10²⁵Ω·m之间的电阻率。