[发明专利]一种大功率led芯片集成封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201710476318.0 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN107248547A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 杜姬芳;王伟;孟勇亮;杜艳芳 申请(专利权)人: 鸿宝科技股份有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/50;H01L33/58;H01L25/075
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 肖军
地址: 528400 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 led 芯片 集成 封装 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于包括:大功率led芯片、基板、围墙、光学玻璃,所述大功率led芯片贴于基板上,大功率led芯片与电极或大功率led芯片与基板电路层连接,围墙一侧与基板连接,另一侧与光学玻璃连接,光学玻璃、围墙、与基板围成一完全密封不透气的空腔,所述大功率led芯片位于该空腔内,该空腔内填充有绝缘导热的惰性气体,光学玻璃内掺杂有荧光粉或光学玻璃表面涂有荧光粉层。

2.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于其还包括荧光胶体,大功率led芯片置于荧光胶体之中或者荧光胶体涂覆在大功率led芯片表面,大功率led芯片上方的荧光胶体的厚度小于0.3mm。

3.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于所述基板材料为铝基板或铜基板或陶瓷基板,基板为单层或者多层。

4.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于所述基板固定大功率led芯片的位置设置有大功率led对接的芯片电路。

5.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于所述光学玻璃具有高透光率,且表面进行粗化处理。

6.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于所述大功率led芯片通过银胶或锡共晶焊接工艺固定在基板上。

7.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于相邻大功率led芯片通过导线连接,位于两端的大功率led芯片通过导线与电极连接。

8.如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构,其特征在于基板与围墙一体成型。

9.一种采用如权利要求1所述的一种大功率led芯片集成封装结构的封装方法,其特征在于包括以下步骤:

基板清洗、烘干;

将围墙固定在基板上

大功率led芯片分拣、扩晶;

通过银胶或锡采用共晶焊工艺将大功率led芯片固定在基板上;

在绝缘导热的惰性气体的环境中将光学面板与围墙固定密封连接。

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