[发明专利]发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置有效
申请号: | 201710477473.4 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN107359260B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 濑尾哲史;石曾根崇浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光元件 发光层 三重态激发能 发光 载流子传输 发光材料 主体材料 磷光发光材料 发光掺杂剂 电子设备 发光效率 发光装置 显示装置 照明装置 掺杂剂 长波长 短波长 耗电量 传输 平衡 | ||
1.一种发光装置,包括:
阳极;
所述阳极上的第一发光层,所述第一发光层包括第一磷光化合物以及第一主体材料;
所述第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层包括第二磷光化合物、第一电子传输化合物以及第一空穴传输化合物;以及
所述第二发光层上的阴极,
其中所述第二磷光化合物的发射波长比所述第一磷光化合物的发射波长长,
其中所述第一主体材料的三重态激发能为所述第一电子传输化合物或所述第一空穴传输化合物的三重态激发能以上,
其中所述第一电子传输化合物和所述第一空穴传输化合物形成激基复合物,
其中所述激基复合物的发射光谱与所述第二磷光化合物的最低能量一侧的吸收带重叠,该吸收带源于从金属到配体的三重态电荷转移跃迁。
2.根据权利要求1所述的发光装置,
其中所述激基复合物的发射峰值波长和所述第二磷光化合物的最低能量一侧的所述吸收带的峰值波长之间的能量差为0.2eV以下。
3.一种发光装置,包括:
阳极;
所述阳极上的第一发光层,所述第一发光层包括第一化合物以及第一主体材料;
所述第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层包括第二化合物、第一电子传输化合物以及第一空穴传输化合物;以及
所述第二发光层上的阴极,
其中所述第二化合物的发射波长比所述第一化合物的发射波长长,
其中所述第一主体材料的三重态激发能为所述第一电子传输化合物或所述第一空穴传输化合物的三重态激发能以上,
其中所述第一电子传输化合物和所述第一空穴传输化合物形成激基复合物,
其中所述第一化合物和所述第二化合物的至少一者为磷光化合物,
其中所述激基复合物的发射光谱与所述第二化合物的最低能量一侧的吸收带重叠,该吸收带源于从金属到配体的三重态电荷转移跃迁。
4.根据权利要求3所述的发光装置,
其中所述激基复合物的发射峰值波长和所述第二化合物的最低能量一侧的所述吸收带的峰值波长之间的能量差为0.2eV以下。
5.一种发光装置,包括:
阳极;
所述阳极上的第一发光层,所述第一发光层包括第一化合物以及第一主体材料;
所述第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层包括第二化合物、第一电子传输化合物以及第一空穴传输化合物;以及
所述第二发光层上的阴极,
其中所述第二化合物的发射波长比所述第一化合物的发射波长长,
其中所述第一主体材料的三重态激发能为所述第一电子传输化合物或所述第一空穴传输化合物的三重态激发能以上,
其中所述第一电子传输化合物和所述第一空穴传输化合物形成激基复合物,
其中所述第一化合物和所述第二化合物的至少一者为显示热活化延迟荧光的材料,
其中所述激基复合物的发射光谱与所述第二化合物的最低能量一侧的吸收带重叠,该吸收带源于从金属到配体的三重态电荷转移跃迁。
6.根据权利要求5所述的发光装置,
其中所述激基复合物的发射峰值波长和所述第二化合物的最低能量一侧的所述吸收带的峰值波长之间的能量差为0.2eV以下。
7.一种发光装置,包括:
阳极;
所述阳极上的第一发光层,所述第一发光层包括显示热活化延迟荧光的第一材料以及第一主体材料;
所述第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层包括显示热活化延迟荧光的第二材料、第一电子传输化合物以及第一空穴传输化合物;以及
所述第二发光层上的阴极,
其中所述显示热活化延迟荧光的第二材料的发射波长比所述显示热活化延迟荧光的第一材料的发射波长长,
其中所述第一主体材料的三重态激发能为所述第一电子传输化合物或所述第一空穴传输化合物的三重态激发能以上,
其中所述第一电子传输化合物和所述第一空穴传输化合物形成激基复合物,
其中所述激基复合物的发射光谱与所述第二材料的最低能量一侧的吸收带重叠,该吸收带源于从金属到配体的三重态电荷转移跃迁。
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