[发明专利]半导体封装有效
申请号: | 201710477486.1 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107946280B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 邱盈达;邱咏达;陈道隆;李志成;洪志斌 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,其包含:
第一基板,其包含自该第一基板的表面延伸的第一金属互连结构,该第一金属互连结构包括第一尺寸的颗粒(grain);
第二基板,其包含第二金属互连结构,该第二金属互连结构包含第二尺寸的颗粒;及
第三金属互连结构,其设置于该第一金属互连结构与该第二金属互连结构之间,该第三金属互连结构包含:
第三尺寸的颗粒;
第一侧壁,其相对于参考平面倾斜第一角度;及
第二侧壁,其相对于该参考平面倾斜第二角度,
其中该第一角度相异于该第二角度,该第一侧壁设置于该第一基板与该第二侧壁之间,且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者,
其中该第三金属互连结构围绕该第一金属互连结构之一部份。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第一尺寸与该第二尺寸实质上相同。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第一尺寸与该第二尺寸相异。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第一角度小于该第二角度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第一金属互连结构进一步包含:第一侧壁,其相对于该参考平面倾斜第三角度;第二侧壁,其相对于该参考平面倾斜第四角度;及第三侧壁,其相对于该参考平面倾斜第五角度,该第三、第四及第五角度彼此相异,该第一金属互连结构的该第二侧壁设置于该第一金属互连结构的该第一侧壁与该第一金属互连结构的该第三侧壁之间。
6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中该第四角度小于该第五角度。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第二金属互连结构进一步包含:第一侧壁,其相对于该参考平面倾斜第六角度;及第二侧壁,其相对于该参考平面倾斜第七角度,该第六及第七角度彼此相异。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中该第六角度小于该第七角度。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第二金属互连结构围绕该第三金属互连结构。
10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该第二金属互连结构设置于该第二基板之中。
11.一种半导体封装,其包含:
第一基板,其包含自该第一基板的表面延伸的第一金属互连结构;
第二基板,其包含:
第二金属互连结构;及
第三金属互连结构,其设置于该第一金属互连结构与该第二金属互连结构之间,该第三金属互连结构包含:第一侧壁,其相对于参考平面倾斜第一角度;及第二侧壁,其相对于该参考平面倾斜第二角度,该第一侧壁设置于该第一基板与该第二侧壁之间,该第一角度相异于该第二角度,
其中该第一金属互连结构及该第二金属互连结构界定空间,
其中该第三金属互连结构围绕该第一金属互连结构之一部份。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中该第一角度小于该第二角度。
13.根据权利要求11所述的半导体封装,其中该空间介于该第二金属互连结构及该第三金属互连结构之间。
14.根据权利要求11所述的半导体封装,其中该空间由该第一金属互连结构、该第二金属互连结构及该第三金属互连结构界定。
15.根据权利要求11所述的半导体封装,其中该空间具有小于1μm的高度。
16.根据权利要求11所述的半导体封装,其中该空间具有小于1μm的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710477486.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及制造其的方法
- 下一篇:静电放电电路