[发明专利]一种高亮LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种高亮LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤如下：

在衬底上依次外延制备缓冲层、N型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层、P型氮化镓层，用电子束蒸发或磁控溅射的制备方式，在P型氮化镓层表面制备一层透明导电薄膜；使用电子束热蒸发在透明导电薄膜表面沉积金属纳米颗粒层，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5-80nm的Au、Ag、Al合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。

2.一种高亮LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤如下：

在衬底上依次外延制备缓冲层、N型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层及P型氮化镓层，用电子束蒸发或磁控溅射的制备方式，在P型氮化镓层表面制备一层透明导电薄膜；利用掩膜刻蚀方法使透明导电薄膜周期性开孔；再使用电子束热蒸发在透明导电薄膜、P型氮化镓层表面沉积金属纳米颗粒层，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5-80nm的Au、Ag、Al合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。

3.一种高亮LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤如下：

在衬底上依次外延制备缓冲层、N型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层及P型氮化镓层；用电子束蒸发或磁控溅射的制备方式，在P型氮化镓层表面制备一层透明导电薄膜；利用掩膜刻蚀方法使透明导电薄膜全部、P型氮化镓层部分周期性开孔；使用电子束热蒸发在透明导电薄膜、P型氮化镓层表面沉积金属纳米颗粒层，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5-80nm的Au、Ag、Al合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。

4.根据权利要求1～3任一所述的制备方法，其特征在于，所述的P型氮化镓层的厚度为30～70nm。

5.根据权利要求1～3任一所述的制备方法，其特征在于，所述的金属纳米颗粒层覆盖率为5％-30％，厚度约1.5-3nm。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的金属纳米颗粒层覆盖率为5％-30％，厚度约1.5-3nm。

7.根据权利要求1、2、3或6所述的制备方法，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石衬底。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石衬底。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石衬底。