[发明专利]一种保护电路在审
申请号: | 201710479043.6 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN107147097A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 王磊;王伟玮;郭树元;李亚男;童小明;石蕾;侯黎明;陈勇辉;方昌辉;陈迪;朱玺;张旭昌;徐诚;涂继畑;余钱;张维;蔡海分;谭昌博 | 申请(专利权)人: | 武汉元丰汽车电控系统有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 430014 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 电路 | ||
技术领域
本发明属于电学技术领域,特别涉及一种保护电路。
背景技术
电子设备广泛应用于汽车中,电子设备在运行时将产生电气和电磁骚扰,这些骚扰可以通过传导、耦合、辐射等方式传播到其它电子设备中,影响其它电子设备的正常运行。
为避免受骚扰而影响电子设备正常工作,汽车的电子产品都需要做EMC验证,即要求做抛负载试验,抛负载试验是模拟在断开电池(亏电状态)的同时,发电机正在产生充电电流,而发电机电路上仍有其它负载时产生的瞬态,未断开时发电机的线圈内电流较大,断开时电流突然变小,产生反电动势,造成负载电源电压瞬间变大,从而出现浪涌。浪涌是指瞬间出现超出稳定值的峰值,它包括浪涌电压和浪涌电流。
由于抛负载试验中浪涌主要是高能量脉冲,而设备的抗干扰能力较差,设备的抗破坏能力较低,不能有效保护电路中的元器件。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是由于抛负载试验中浪涌主要是高能量脉冲,而设备的抗干扰能力较差,设备的抗破坏能力较低,不能有效保护电路中的元器件。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种保护电路,所述保护电路包括:
第一电子元件,所述第一电子元件具有两个电极,且只允许电流由单一方向流过,所述第一电子元件外接电源正极;
防浪涌电阻,所述防浪涌电阻与所述第一二极管串联,并接地,且所述防浪涌电阻与所述地之间串联有一负载;
第二电子元件,所述第二电子元件具有两个电极,且只允许电流由单一方向流过,所述第二电子元件串联在所述防浪涌电阻和所述地之间,并与所述负载并联;
其中,所述保护电路工作时经过所述防浪涌电阻的电流是80mA-120mA,在所述防浪涌电阻上的压降为0.2V-0.4V。
进一步地,所述保护电路还包括:所述第一电子元件是肖特基二极管。
进一步地,所述保护电路包括:所述肖特基二极管的反向电压VR是60V;
所述肖特基二极管的正向浪涌峰值电流IFSM是70A;
所述肖特基二极管的正向压降VF最大值是0.52V。
进一步地,所述保护电路包括:所述第二电子元件是瞬态抑制二极管。
进一步地,所述保护电路包括:所述瞬态抑制二极管的峰值功率PPK是600W;
所述瞬态抑制二极管的脉冲峰值电流IPP是12A;
所述瞬态抑制二极管的击穿电压VBR是36V;
所述瞬态抑制二极管的箝位电压Vc是49.9V。
进一步地,所述保护电路包括:
所述第一电子元件是肖特基二极管;其中,所述肖特基二极管的反向电压VR是60V;所述肖特基二极管的正向浪涌峰值电流IFSM是70A;所述肖特基二极管的正向压降VF最大值是0.52V;
和,
所述第二电子元件是瞬态抑制二极管;其中,所述瞬态抑制二极管的峰值功率PPK是600W;所述瞬态抑制二极管的脉冲峰值电流IPP是12A;所述瞬态抑制二极管的击穿电压VBR是36V;所述瞬态抑制二极管的箝位电压Vc是49.9V。
进一步地,所述保护电路包括:
所述防浪涌电阻的电阻值是3Ω。
有益效果:第一电子元件可以是肖特基二极管,因为具有很低的前向压降,当电池反向连接时这个二极管可以阻止反向电流流动,所以二极管上会产生一定的压降,会消耗一定的功率。从而避免了不良电池操作或错误维护造成的反向电池连接可能导致的损坏风险。第二电子元件是瞬态抑制二极管,使用瞬态抑制二极管,因为在正常状况下,瞬态抑制二极管呈现高阻抗状态,当瞬间电压超过瞬态抑制二极管的击穿电压时其阻抗立即降至极低的导通值,瞬态抑制二极管提供一个低阻抗的路径,所以瞬态抑制二极管允许大电流通过,使流向被保护器件的电流分流到瞬态抑制二极管,同时将受保护器件两端的电压限制在瞬态抑制二极管的箝位电压。当过电压条件消失后,瞬态抑制二极管又恢复到高阻抗状态。抛负载试验中产生的高能量脉冲被防浪涌电阻消耗,防浪涌电阻与瞬态抑制二极串联,所以浪涌功率而又不至于产生太大压降,导致能有效保护电路中的元器件的技术效果。
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