[发明专利]一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺

权利要求书

1.一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：包括如下步骤：

(1)将纳米晶带材卷绕成环形纳米晶磁芯；

(2)将纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；

(3)将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理；

其中，所述步骤(1)中，纳米晶带材的厚度为15-25μm，宽度为20-30mm；

其中，所述步骤(1)中，纳米晶带材为铁基纳米晶带材，所述铁基纳米晶带材包括如下重量百分比的元素：Ni：15％-25％、Si：10％-12％、B：3％-5％、Nb：2％-4％、Cu：0.3％-0.5％、Co：4％-8％，余量为Fe；

其中，所述步骤(2)和所述步骤(3)中，热处理的步骤为：

a)经过110-130min把炉内温度从室温升温至640-660K；

b)在643-663K保温15-25min后，用32-40min升温至750-770K；

c)在753-773K保温35-45min后，用11-15min升温至790-810K；

d)在793-813K保温55-65min后，用10-14min升温至825-845K；

e)在828-848K保温35-45min后，退出炉罩强风把炉体温度急冷至340-360K，打开炉门把纳米晶磁芯取出；

f)把从炉内取出的纳米晶磁芯放在冷却架上再强风急冷至常温。

2.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤(2)和所述步骤(3)中，热处理的步骤为：

a)经过120min把炉内温度从室温升温至650K；

b)在653K保温20min后，用36min升温至760K；

c)在763K保温40min后，用13min升温至800K；

d)在803K保温60min后，用12min升温至835K；

e)在838K保温40min后，退出炉罩强风把炉体温度急冷至350K，打开炉门把纳米晶磁芯取出；

f)把从炉内取出的纳米晶磁芯放在冷却架上再强风急冷至常温。

3.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤(2)和所述步骤(3)中，真空退火炉内的真空度小于-0.1Mpa，真空退火炉内充有混合气体，混合气体由体积百分比为10％-20％的氢气和体积百分比为80％-90％的氮气组成。

4.根据权利要求1所述的一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：所述步骤(3)之后还包括步骤(4)将再次进行热处理后的纳米晶磁芯进行浸胶固化处理。