[发明专利]光电元件

权利要求书

1.一种光电元件，包含：

半导体叠层，包含：第一导电型半导体层、活性层、及第二导电型半导体层；

凹槽，从该第二导电型半导体层向下蚀刻该活性层至暴露出该第一导电型半导体层；

第一电极，形成于该凹槽上，并与该第一导电型半导体层电连接，且该第一电极还包含一第一延伸电极；

一或多个限制电性接触区域，位于该第二导电型半导体层上，并沿着该凹槽的侧壁延伸至该凹槽的底部；及

第二导电型接触层，位于该第二导电型半导体层与该一或多个限制电性接触区域之间，其中该一或多个限制电性接触区域露出该第二导电型接触层的部分，该第一延伸电极位于该一或多个限制电性接触区域之上，

其中该第一延伸电极沿着该一或多个限制电性接触区域的侧壁延伸至该凹槽的该底部并接触该第一导电型半导体层，及

其中该第一延伸电极具有一宽度D₂；

该第二导电型接触层为该凹槽所分隔，其中被分隔的该第二导电型接触层相距一距离D₁，且D₁＜D₂。

2.如权利要求1所述的光电元件，其中还包含基板，位于该半导体叠层之上，其中该基板与该第一电极位于该半导体叠层的相对侧。

3.如权利要求1所述的光电元件，其中还包含第二电极位于该第二导电型半导体层之上，该第二电极包含铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、锡(Sn)、或银(Ag)金属材料。

4.如权利要求1所述的光电元件，其中该多个限制电性接触区域以变距离的间隔分布。

5.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一延伸电极为对称形状。

6.如权利要求1所述的光电元件，其中该宽度D2介于5μm～100μm。

7.如权利要求5所述的光电元件，其中该第二导电型接触层包含氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝、与氧化锌锡中至少其一。

8.如权利要求1所述的光电元件，其中该一或多个限制电性接触区域包含氧化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆，或氧化钛介电材料。

9.一种光电元件，包含：

半导体叠层，包含：第一导电型半导体层、活性层、及第二导电型半导体层；

凹槽，从该第二导电型半导体层向下蚀刻该活性层至暴露出该第一导电型半导体层；

限制电性接触区域，位于该第二导电型半导体层之上并沿着该凹槽的侧壁延伸至该凹槽的底部；

第一电极，形成于该凹槽上，并与该第一导电型半导体层电连接，且该第一电极还包含一具有一宽度D₂的第一延伸电极；及

第二导电型接触层，位于该第二导电型半导体层与该限制电性接触区域之间且为该凹槽所分隔，其中，被分隔的该第二导电型接触层相距一距离D₁，且D₁＜D₂。

10.如权利要求9所述的光电元件，其中还包含第二电极位于该第二导电型半导体层之上，该第二电极包含铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、锡(Sn)、或银(Ag)金属材料。