[发明专利]电致发光装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201710480746.0 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107204356B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 卜凡中;郭瑞;徐磊 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电致发光 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光装置，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上的驱动阵列层；
依次叠置在所述驱动阵列层上的隔离层和发光元件阵列层；其中，所述隔离层为形状记忆高分子材料层；
所述发光元件阵列层与所述驱动阵列层电连接；
其中，所述隔离层上包含有第一导电层，所述驱动阵列层上部还直接设置有平坦化层，所述平坦化层上叠置有第二导电层，所述第一导电层的功函数大于4.7eV，所述第二导电层的功函数大于4.7eV，所述第一导电层与所述第二导电层形成并联结构。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于，所述形状记忆高分子材料层为热致型或电致感应型。
3.根据权利要求1或2所述的电致发光装置，其特征在于，所述隔离层上开设有通孔，所述发光元件阵列层通过所述通孔与所述驱动阵列层电连接。
4.一种电致发光装置的制备方法，包括以下步骤：
在基板上形成驱动阵列层；
在所述驱动阵列层上形成隔离层；其中，所述隔离层为形状记忆高分子材料层；
在所述隔离层上形成发光元件阵列层，发光元件阵列层与所述驱动阵列层电连接；
对所述发光元件阵列层的性能进行测试，根据测试结果对所述电致发光装置进行处理；
其中，所述隔离层上包含有第一导电层，所述驱动阵列层上部还直接设置有平坦化层，所述平坦化层上叠置有第二导电层，所述第一导电层的功函数大于4.7eV，所述第二导电层的功函数大于4.7eV，所述第一导电层与所述第二导电层形成并联结构。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述隔离层通过溶液法制备。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述根据所述性能测试结果对所述电致发光装置进行处理的步骤包括：
在测试合格的情况下，对所述电致发光装置进行封装；
在测试不合格的情况下，剥离所述隔离层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
