[发明专利]一种121.6nm窄带负滤光片及其制备方法

说明书

本申请公开了一种121.6nm窄带负滤光片及其制备方法，该方法包括：确定制备121.6nm窄带负滤光片时所需的多层膜的镀膜材料以及相应的基础膜系结构；基于镀膜材料以及基础膜系结构，计算相应的等效导纳以及位相厚度；根据等效导纳以及位相厚度，依次在多层膜与入射介质之间、以及多层膜与基底之间分别进行导纳匹配处理，以对基础膜系结构进行优化，得到优化后膜系结构；根据优化后膜系结构，制备相应的121.6nm窄带负滤光片。本申请可消除由于多层膜与入射介质、基底之间导纳不匹配而使得旁带和可见光波段具有高反射率的现象，而基于上述经过优化处理的膜系结构制备得到的121.6nm负滤光片具有较低的旁带以及可见光波段的反射率，从而有利于提升121.6nm谱线的质量。

技术领域

本发明涉及滤光片技术领域，特别涉及一种121.6nm窄带负滤光片及其制备方法。

背景技术

121.6nm谱线是氢元素的拉曼阿尔法发射线，它具有许多显著的特点，因而成为许多太阳探测任务的成像目标。为了保证探测的光谱纯度，需要使用121.6nm负滤光片，以在121.6nm处获得较高的反射率。

然而，现有的121.6nm负滤光片在实际应用过程中，存在旁带和可见光波段的反射率较高的现象，从而降低了121.6nm谱线质量。

综上所述可以看出，如何设计和制备高质量的121.6nm负滤光片，以降低旁带和可见光波段的反射率是目前亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种121.6nm窄带负滤光片及其制备方法，能够降低121.6nm负滤光片的旁带和可见光波段的反射率，有利于提升121.6nm谱线质量。其具体方案如下：

一种121.6nm窄带负滤光片制备方法，包括：

确定制备121.6nm窄带负滤光片时所需的多层膜的镀膜材料以及相应的基础膜系结构；

基于所述镀膜材料以及所述基础膜系结构，计算相应的等效导纳以及位相厚度；

根据所述等效导纳以及位相厚度，依次在多层膜与入射介质之间、以及多层膜与基底之间分别进行导纳匹配处理，以对所述基础膜系结构进行优化，得到优化后膜系结构；

根据所述优化后膜系结构，制备相应的121.6nm窄带负滤光片。

可选的，多层膜的镀膜材料为LaF₃和MgF₂。

可选的，多层膜中与所述基底接触的膜层以及最外层膜层均为LaF₃膜层，并且，所述基底为融石英基底。

可选的，所述基础膜系结构为sub/(0.7H0.6L0.7H)^11/air。

可选的，所述基于所述镀膜材料以及所述基础膜系结构，计算相应的等效导纳以及位相厚度的过程，包括：

基于所述镀膜材料以及所述基础膜系结构，并利用Macleod薄膜设计软件中的Equivalent Parameters功能，计算相应的等效导纳以及位相厚度。

可选的，所述依次在多层膜与入射介质之间、以及多层膜与基底之间分别进行导纳匹配处理的过程，包括：

在所述基础膜系结构中的多层膜与入射介质之间展开导纳匹配处理，以对所述基础膜系结构进行优化，得到第一次优化后膜系结构；

在所述第一次优化后膜系结构中的多层膜与所述基底之间展开导纳匹配处理，以对所述第一次优化后膜系结构再次进行优化，得到第二次优化后膜系结构。

可选的，所述第一次优化后膜系结构为：

sub/((0.7H0.6L0.7H)^9 0.6H0.964(0.7H0.6L0.7H)^2)/air；