[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向所述处理室内的所述衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，

在形成所述膜的工序中，当所述原料不流过所述第一排气系统内时，经设置于所述第一排气系统的供给端口向所述第一排气系统内直接供给失活体，所述失活体为不同于所述反应体的物质。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，向所述第一排气系统内交替流入所述原料和所述失活体。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，使附着于所述第一排气系统内的所述原料与所述失活体间歇地反应。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述原料包含卤元素，

在形成所述膜的工序中，利用所述失活体，从附着于所述第一排气系统内的所述原料中抽出卤元素。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，使附着于所述第一排气系统内的所述原料与所述失活体反应，从而在所述第一排气系统内形成氧化膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一排气系统是不同于所述第二排气系统的排气系统。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，当经所述第二排气系统而对所述反应体进行排气时，向所述第一排气系统内供给所述失活体。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，当向所述第一排气系统内供给所述失活体时，使所述第一排气系统内与所述处理室内处于非连通。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一排气系统是与所述第二排气系统同样的排气系统。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在经所述排气系统将所述原料排气后、经所述排气系统开始所述反应体的排气前，向所述排气系统内供给所述失活体。

11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，当经所述排气系统而对所述反应体进行排气时，向所述排气系统内供给所述失活体。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述失活体包含氧化剂和催化剂。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述氧化剂含有O-H键。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，间歇且非同时地进行供给所述原料并经所述第一排气系统排气的工序、和供给所述反应体并经所述第二排气系统排气的工序。