[发明专利]一种互补半桥电路

权利要求书

1.一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管D3，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其特征是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是三极管时，高位开关SH的基极和发射极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的基极和集电极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；高位开关SH的集电极和发射极分别并联在第三二极管D3的阴极和阳极；所述的低位开关SL的集电极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的发射极串联，第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，该LC串联电路一端连接高位开关SH的发射极，另一端或者连接高位开关SH的集电极，或者连接低位开关SL的发射极。

2.根据权利要求1所述的一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其特征是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时，高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；所述的低位开关SL的漏极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的源极串联；第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，该LC串联电路一端连接高位开关SH的源极，另一端或者连接高位开关SH的漏极，或者连接低位开关SL的源极。

3.根据权利要求1或2所述的一种互补半桥电路，其特征是，第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极形成RD并联电路，该RD并联电路的作用是产生驱动高位开关SH的电压，即高位开关SH的关断或导通分别受控于RD并联电路两端的正向电压或反向电压。

4.根据权利要求1或2所述的一种互补半桥电路，其特征是，所述的线圈L1或者是独立电感，或者是变压器的原边绕组，或者是电动机绕组。

5.根据权利要求2所述的一种互补半桥电路，其特征是，高位开关SH的栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极，所述第二二极管D2的作用是提供寄生能量的释放通道。

6.根据权利要求1所述的一种互补半桥电路，其特征是，高位开关SH的基极和集电极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极，所述第二二极管D2的作用是提供寄生能量的释放通道。

7.根据权利要求1所述的一种互补半桥电路，其特征是，高位开关SH的集电极和发射极分别并联在第三二极管D3的阴极和阳极，所述的第三二极管D3的作用是降低高位开关SH的发射极到集电极压降，以便降低高位开关SH的损耗。