[发明专利]LDMOS晶体管和方法

说明书

本公开涉及LDMOS晶体管和方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。

技术领域

本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及LDMOS晶体管和方法。

背景技术

对适用于在更高频率(包括微波频率)下进行操作的固态电路存在持续的需求。如本文所使用的，术语“微波”旨在表示约300MHz或以上的频率，诸如在300MHz和3GHz之间。创建各种晶体管结构，其能够在这种频率范围内提供增益。LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管是这种晶体管结构的示例。

在一些横向晶体管器件(诸如LDMOS晶体管器件)中，源极通常耦合至形成有晶体管结构的衬底的背侧。源极可以通过衬底的重掺杂区域(通常已知为下沉(sinker)结构)或者导电衬底通孔(TSV)耦合至衬底的背面。

期望对源极与衬底的背侧之间的连接的进一步改进。

发明内容

在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。

在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底的第一表面中形成开口，其中在第一表面中具有LDMOS晶体管结构；使用第一沉积参数在半导体衬底的开口的第一部分中形成第一导电层，使得第一导电层填充第一部分中的开口；以及使用第二沉积参数在开口的第二部分中形成位于第一导电层上的第二导电层，使得第二导电层约束(bound)第二部分中的间隙。

本领域技术人员将在阅读以下详细描述和查看附图之后意识到附加的特征和优势。

附图说明

附图的元件不需要相对按比例绘制。类似的参考数字表示对应的类似部分。可以组合各个所示实施例的特征，除非它们相互排斥。在附图中示出且在说明书中描述的示例性实施例如下。

图1a示出了包括LDMOS晶体管和导电衬底通孔(TSV)的半导体器件的截面图。

图1b示出了包括LDMOS晶体管和导电衬底通孔(TSV)的半导体器件的截面图。

图2a示出了图1a的导电衬底通孔。

图2b示出了图1b的导电衬底通孔。

图3示出了包括LDMOS晶体管和导电衬底通孔(TSV)的半导体器件的截面图。

图4示出了图3的半导体器件的平面图。

图5示出了包括LDMOS晶体管和导电衬底通孔(TSV)的半导体器件的截面图。

图6示出了包括导电衬底通孔(TSV)的半导体器件中的LDMOS晶体管结构。

图7示出了用于制造导电衬底通孔的方法的流程图。

图8示出了用于制造具有导电衬底通孔的LDMOS晶体管器件的方法的流程图。

图9示出了初始半导体衬底的截面图。

图10利用盲孔示出了图9的初始半导体衬底的截面图。

图11a、图11b示出了图10的盲孔的基底处的导电插塞的截面图。

图12示出了布置在导电插塞上且环绕被加盖的间隙的导电层的截面图。

图13示出了形成在导电插塞上方的盲孔中的腔的截面图。