[发明专利]LDMOS晶体管和方法

权利要求书

1.一种用于把布置在衬底的第一表面处的晶体管结构的电极电耦合到布置在与第一表面相对的衬底的第二表面处的第三导电层的方法，所述方法包括：

在衬底中形成邻近晶体管结构的盲通孔；

把第一导电层沉积到盲通孔的侧壁和第二导电层的区段上，所述第二导电层布置在衬底的第一表面上邻近盲通孔并且耦合到晶体管结构的电极，所述第一导电层由单个整体单元组成，所述单个整体单元由始终相同的材料组成；

对衬底的第二表面进行加工从而暴露出第一导电层的一部分；以及

把第三导电层沉积到衬底的第二表面和第一导电层的所述部分上，以便把第三导电层与晶体管结构的电极电耦合，

其中所述晶体管结构是LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管结构，并且所述电极是硅衬底的高度掺杂的源极区段，其中所述源极区段的掺杂浓度是至少5.10¹⁹cm^-3，

其中所述第一导电层的单个整体单元与盲通孔的侧壁直接接触，并且与在盲通孔的侧壁与布置在第一表面上的第二导电层的区段之间的衬底的第一表面的一部分直接接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一导电层具有厚度t₁并且第二导电层具有厚度t₂，其中t₁≥5t₂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一导电层包括铜并且第二导电层包括Ti。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层是使用双大马士革技术来制造的，从而使得其从第二表面穿过衬底垂直延伸至第一表面，并且从第一表面上的盲通孔沿晶体管结构的电极方向横向延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层提供再分布路径，所述再分布路径具有盲通孔内的垂直部分和在衬底的第一表面上的横向部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述垂直部分和横向部分使用单个沉积工艺形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层的单个整体单元覆盖并直接接触布置在第一表面上的第二导电层的区段。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过电镀来沉积第一导电层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将掩模施加到第一表面，从而使得将开口定位在盲通孔和第二导电层的所述区段之上并且使得晶体管结构的电极被掩模覆盖；

将第一导电层施加到掩模的所述开口中；以及

将衬底的第一表面平面化，从而使得第一导电层的上表面与布置在衬底的第一表面上的氧化物层的上表面基本上共面。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将多层衬垫沉积到盲通孔中并且沉积到邻近通孔在衬底的第一表面上的第二导电层的所述区段上；以及

将第一导电层沉积到多层衬垫上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，被沉积到盲通孔的侧壁上的多层衬垫的一部分的层数不同于被沉积在衬底的第一表面上的第二导电层的所述区段上的多层衬垫的一部分的层数。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，第一导电层被耦合到晶体管结构的源极电极。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅衬底具有体电阻率ρ≥100欧姆厘米。