[发明专利]基于不同高度铜柱的三维封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种基于不同高度铜柱的三维封装结构，包括：

封装基板；

位于封装基板第一表面的外接焊球；

至少两层位于封装基板内部和或表面的电路，及至少一层层间通孔；

位于封装基板第二表面的第一焊盘和第二焊盘；

位于封装基板第二表面的第一芯片和第二芯片，位于第一芯片上的第一铜柱凸块和位于第二芯片上的第二铜柱凸块，第一芯片通过第一铜柱凸块连接到封装基板的第一焊盘，第二芯片通过第二铜柱凸块连接到封装基板的第二焊盘；

其中，所述第二铜柱凸块高于第一铜柱凸块，第一芯片至少部分的位于第二芯片的焊接面与封装基板之间，从而使第一芯片和第二芯片在封装基板上形成三维封装结构。

2.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第二铜柱凸块的高度不小于所述第一铜柱凸块高度与所述第一芯片厚度之和。

3.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第一铜柱凸块的高度为30微米至80微米。

4.如权利要求1所述的不同高度铜柱的三维封装结构，其特征在于，所述第二铜柱凸块的高度为130微米至300微米。

5.一种制造基于不同高度铜柱的三维封装结构的方法，包括：

在封装基板制作用于焊接第一芯片和第二芯片的第一及第二封装焊盘；

在第一芯片上制作第一铜柱凸点；

在第二芯片上制作第二铜柱凸点；

通过第一铜柱凸点焊接第一芯片至封装基板的第一封装焊盘上；

通过第二铜柱凸点焊接第二芯片至封装基板的第二封装焊盘上。

6.如权利要求6所述的方法，其特征在于，制作第一铜柱凸块和或第二铜柱凸块的步骤包括沉积电镀种子层、光刻形成铜柱凸块电镀掩膜、电镀铜柱凸块和去除铜柱凸块的电镀掩膜、去除电镀种子层以及回流形成最终的铜柱凸块。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，制作第二铜柱凸块的电镀掩膜的方法为超厚负胶光刻，或多次光刻，或LIGA技术。