[发明专利]一种太阳能级多晶硅片的铸造方法在审
| 申请号： | 201710487320.8 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109112623A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 余刚;丁一;王剑;姚玖洪 | 申请（专利权）人： | 镇江仁德新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/10 | 分类号： | C30B28/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 李帅 |
| 地址： | 212200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热 杂质去除 太阳能级多晶硅 保温 铸造 装料 定向拉锭 降温工序 硅原料 炉冷 冷却 抽取 | ||
1.一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，其特征在于，采用真空熔炼的方法将原料硅中的杂质进行去除，得到所述太阳能级多晶硅片，包括以下步骤：
A.装料
以纯度为98.8％的工业硅为原料，将其破碎至块状，采用纯度为分析纯的酒精超声振荡清洗硅料，同时超声振荡清洗石英坩埚内壁，待清洗完成后将粉碎的块状硅料装入坩埚中，再将装好料的石英坩埚放入石墨模具中，然后放入真空感应熔炼炉体中；
B.抽取真空
采用机械泵将炉体内的真空抽至10Pa左右时，然后开启罗茨泵，将真空抽至1-2×10-2Pa，整个过程中两个泵始终保持开启的状态；
C.加热、保温、降温
采用80～100min从室温加热至900～1100℃，采用50～70min加热至1400～1600℃，并保持该温度一定时间，然后采用50～70min将温度从1400～1600℃降至900～1100℃，余下温度采用炉冷的方式进行冷却；
D.定向拉锭
在炉冷过程中，采用常规方法进行拉锭，得到纯度符合要求的所述太阳能级多晶硅片。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，其特征在于：其中，在步骤A中，所述坩埚为高纯石英坩埚。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，其特征在于：其中，在步骤C中，采用90min从室温加热至1000℃，采用60min加热至1500℃，并保持该温度一定时间，然后采用60min将温度从1500℃降至1000℃。
4.根据权利要求3所述的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，其特征在于：其中，所述一定时间为60～150min。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，其特征在于：其中，在步骤C中，采用保护气体进行保护，炉冷的时间为5小时。
6.根据权利要求1所述的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，其特征在于：其中，在步骤C中，不采用保护气体进行保护，炉冷的时间为3小时。
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