[发明专利]一种光刻胶剥离液

说明书

技术领域

本发明涉及化学品制剂领域，具体是一种用于去除LED和半导体器件等微电子基底光刻胶残余物的光刻胶剥离液。

背景技术

在通常的LED和半导体器件制造过程中，需要光刻胶作为抗掩模进行图案化转移，经过曝光、显影、蚀刻等光刻工艺并完成图案化转移之后，需要去除光刻胶残余物，以便进行下一道工艺。在这个过程中要求完全除去光刻胶残余物，同时不能腐蚀任何基材。

目前，光刻制程中所用的光刻胶主要以Novolic正胶和聚丙烯酸酯类负胶为主，与之相对应的去胶液主要就是碱性光刻胶剥离液。其中一类碱性光刻胶剥离液主成分中含有无机强碱如氢氧化钾（KOH），氢氧化钠（NaOH）或者季铵化合物。如US6040117A1公开了一种有机碱性的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮和水；US2006115970公开了一种光刻胶剥离液，其组成是季铵化合物，羟胺及其衍生物，有机溶剂和水。US5962197A1公开了一种无机碱类的清洗液，其组成是吡咯烷酮、醇醚、氢氧化钾、二甘醇胺，1,3-丁二醇和表面活性剂。这类光刻胶剥离液在清洗过程中能够非常有效的去除晶圆上的光刻胶，但是由于此类强碱类光刻胶剥离液含有水分，对基底的腐蚀性会非常高。US2014/0155310A1公开了一种几乎无水的光刻胶剥离液，其组成是季铵化合物，有机醇胺和有机极性溶剂。这种光刻胶剥离液尽管改善了对基底的腐蚀，但是由于其生产工艺十分复杂，成本极高，限制其使用范围。另外一种是不含有无机强碱如氢氧化钾（KOH），氢氧化钠（NaOH）或者季铵化合物的碱性光刻胶剥离液，其主要成分是有机醇胺和极性有机溶剂。如CN201210042760公开了一种光刻胶清洗液，该清洗液包含醇胺，四氢糠醇以及苯并三氮唑和/或其衍生物。WO2006023061A1公开了一种光刻胶清洗液，其组成是N-甲基吡咯烷酮，乙醇胺，二甘醇胺，邻苯二酚和水。这类光刻胶剥离液去胶能力较弱，只能用于去除正胶和厚度小于5微米左右的负胶，而对于一些由光刻工艺造成高度硬化交联的光刻胶残余物，以及一些聚丙烯酸酯类和聚酰亚胺类的负型厚膜光刻胶，都不能有效去除，限制了使用范围。

综上所述，清洗性能好，操作窗口大，同时对晶圆基底不产生腐蚀的光刻胶剥离液是开发的一个方向。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是针对当前的光刻胶剥离液操作窗口小，对晶圆基底腐蚀性较强，特别是对深度硬化交联的光刻胶残余物以及负型厚膜光刻胶去除能力较弱等问题，提供一种去胶能力强，操作窗口大，不腐蚀晶圆基底的光刻胶剥离液。

本发明采用以下技术方案来实现。