[发明专利]一种太赫兹波吸波体、制备方法及应用

权利要求书

1.一种太赫兹波吸波体，其特征在于，包括：

从上至下依次排列的天线阵列(14)、介质层(13)以及金属层(12)，

所述天线阵列(14)包括多个呈阵列排布的天线单元，所述天线单元包括四个呈旋转对称的天线结构，所述天线结构呈未封闭的凹字形结构，所述天线结构开口位于凹字形左侧；未封闭的凹字形结构能够增加所述天线结构的有效长度，实现对太赫兹波段光吸收；

所述介质层(13)厚度为使经过天线阵列反射的反射光和经过金属层反射的反射光相位相差π。

2.如权利要求1所述的太赫兹波吸波体,其特征在于，通过增加所述天线结构的凹陷深度增大所述太赫兹吸波体中心吸收波长的值。

3.如权利要求1或2所述的太赫兹波吸波体,其特征在于，通过减少天线阵列的厚度增大太赫兹吸波体吸收光谱宽度。

4.一种基于权利要求1所述的太赫兹吸波体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1在衬底上附着金属层获得第一中间产物；

S2在所述第一中间产物上附着介质层获得第二中间产物；

S3通过图形转移方法在所述第二中间产物上附着具有天线阵列反结构的曝光胶层，获得第三中间产物；

S4通过在第三中间产物的曝光胶层上附着所述金属层获得第四中间产物；

S5对所述第四中间产物采用湿化学法去除曝光，获得所述太赫兹波吸波体。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中通过如下步骤获得所述第三中间产物：

S31在所述第二中间产物的介质层上旋涂曝光胶层；

S32对所述曝光胶层依次进行曝光处理、显影处理以及定影处理，获得具有所述天线阵列反结构的第三中间产物。

6.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤S1和步骤S4中采用电子束蒸发或磁控溅射实现金属层附着。

7.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中采用磁控溅射或化学气相沉积实现介质层附着。

8.一种基于权利要求1所述的太赫兹波吸波体的应用。