[发明专利]一种大功率电源控制器

权利要求书

1.一种大功率电源控制器，其特征在于：所述电源控制器包括分流调节器SR主功率部分、驱动和滞环控制单元以及保护电路；其中，SR主功率部分采用MOSFET管分流和二极管串联机制，两个MOSFET管串联，两个二极管分别并联于两个MOSFET管的两端，驱动和滞环控制单元采用两套，分别控制串联的上下两个MOSFET管；太阳阵正线与限流电感加阻容吸收电路的输入端相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端与所述SR主功率部分相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端通过整流二极管与母线正线相连；具体地，

太阳阵正线与电阻R1的一端相连，R1的另一端与电容C1的一端相连，电感L1的一端与太阳阵正线相连，L1的另一端与C1的另一端相连；两个二极管D1的正极均与L1的另一端相连，两个二极管的负极均与母线正线相连；负载的一端与母线正线相连，负载的另一端与母线回线相连，电容阵C并联于负载的两端；

所述保护电路包括单二极管失效保护电路，反向电流采样电路为电流互感器，电流互感器串接在电感L1与二极管D1之间，所述反向电流采样电路的采样到的电流输入到反向电流检测电路的输入端，反向电流检测电路的输出端与保护闭锁及复位电路的输入端相连，保护闭锁及复位电路的输出端分别与高边驱动电路的输入端、低边驱动电路的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的电源控制器，其特征在于：MOSFET管为N沟道MOSFET管，MOSFET管P1的漏极与电感L1的另一端相连，P1的源极与MOSFET管P2的漏极相连，P2的源极与电阻Rs的一端相连，Rs的另一端与母线回线相连；P1的栅极与高边驱动电路的输出端相连，P2的栅极与低边驱动电路的输出端相连。

3.根据权利要求2所述的电源控制器，其特征在于：太阳阵MEA接口R的输出与高边驱动电路的输入端相连，太阳阵MEA接口N的输出与低边驱动电路的输入端相连；其中，太阳阵MEA接口R为第一比较器，第一比较器的一输入端输入MEA电压，另一输入端输入第一参考电压；太阳阵MEA接口N为第二比较器，第二比较器的一输入端输入MEA电压，另一输入端输入第二参考电压。

4.根据权利要求2所述的电源控制器，其特征在于：电容C2的一端与P1的漏极相连，C2的另一端与电阻R2的一端相连，R2的另一端与P2的源极相连，R2和C2的这条支路主要是为了吸收MOSFET上的电压尖峰。

5.根据权利要求4所述的电源控制器，其特征在于：反向电流检测电路是第三比较器，反向电流采样电路的输出端与第三比较器的一输入端相连，第三比较器的另一输入端接第三参考电压。

6.根据权利要求1所述的电源控制器，其特征在于：所述保护电路包括过流保护电路，过流保护电路是第四比较器，第四比较器的一输入端接采样电阻Rs的非接地端，第四比较器的另一输入端接参考电压，过流保护电路的输出端与保护闭锁及复位电路的输入端相连。

7.根据权利要求1所述的电源控制器，其特征在于：所述保护电路还包括欠压保护电路、过损保护电路和峰值电流保护电路。

8.根据权利要求1所述的电源控制器，其特征在于：所述整流二极管是封在同一个壳体里的共阴型二极管。