[发明专利]一种自供能气体传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710492171.4 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107132248B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;何鑫;毛喜玲;周榆久;杨文耀;赵月涛;徐建华;太惠玲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;H01L37/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 银纳米线薄膜 自供能传感器 多孔导电 功能薄膜 聚合物 传感器技术领域 热释电薄膜材料 发明制备工艺 能量采集单元 柔性电子器件 气体传感器 热释电薄膜 成膜工艺 多孔基片 发明器件 高度集成 敏感单元 能量采集 器件结构 气敏单元 气敏信号 灵敏度 相容性 自供能 成膜 可控 匹配 协同 应用 | ||
1.一种自供能气体传感器，其特征在于，其结构由下至上依次层叠的包括：多孔基片、第一银纳米线薄膜、P型多孔导电聚合物、多孔热释电薄膜、N型多孔导电聚合物和第二银纳米线薄膜；所述多孔热释电薄膜的材料为聚偏二氟乙烯或者偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物。
2.根据权利要求1所述的一种自供能气体传感器，其特征在于，多孔基片的材料为多孔柔性氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的一种自供能气体传感器，其特征在于，多孔基片的厚度不大于0.5毫米。
4.根据权利要求1所述的一种自供能气体传感器，其特征在于，多孔基片的孔径大小不大于100纳米。
5.根据权利要求1所述的一种自供能气体传感器，其特征在于，多孔导电聚合物的材料为聚噻吩或其衍生物。
6.一种自供能气体传感器的制备方法，其特征在于，在多孔基片上制备银纳米线薄膜；在银纳米线薄膜上制备多孔导电聚合物薄膜；再采用电掺杂的方法制得P型掺杂态的多孔导电聚合物薄膜；在P型掺杂态的多孔导电聚合物薄膜上制备多孔热释电薄膜；然后在多孔热释电薄膜上制备多孔导电聚合物薄膜；再采用电掺杂的方法制得N型掺杂态的多孔导电聚合物薄膜；在N型掺杂态的多孔导电聚合物薄膜上制备银纳米线薄膜；最终制得多层膜结构的自供能气体传感器。
7.根据权利要求6所述的一种自供能气体传感器的制备方法，其特征在于，多孔基片的材料为多孔柔性氧化铟锡。
8.根据权利要求6所述的一种自供能气体传感器的制备方法，其特征在于，银纳米线薄膜采用自组装法、LB膜法或者旋涂法制备。
9.根据权利要求6所述的一种自供能气体传感器的制备方法，其特征在于，多孔导电聚合物薄膜采用原位沉积法制备，多孔导电聚合物的材料为聚噻吩及其衍生物。
10.根据权利要求6所述的一种自供能气体传感器的制备方法，多孔热释电薄膜采用旋涂法或者流延法制备。
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