[发明专利]电阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201710492518.5 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107591479B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 | ||
1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：
一底电极；
多个存储器堆叠，分别形成于该底电极上，其中每一个该些存储器堆叠包括：
一电阻转换层，形成于该底电极上；
一第一氧气扩散阻隔层，形成于该电阻转换层上；
一导电氧气储存层，形成于该第一氧气扩散阻隔层上；以及
一第二氧气扩散阻隔层，形成于该导电氧气储存层上；
一第三氧气扩散阻隔层，形成于该些存储器堆叠之间；以及
一顶电极，形成于该些存储器堆叠和该第三氧气扩散阻隔层上。
2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该电阻转换层包括氧化铪、氧化钛、氧化钨、氧化钽、氧化锆、或其组合，且该电阻转换层的厚度为3nm至10nm。
3.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该第一氧气扩散阻隔层包括氧化铝，且该第一氧气扩散阻隔层的厚度为0.3nm至1nm。
4.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该导电氧气储存层包括铝、钛、或其组合，且该导电氧气储存层的厚度为5nm至40nm。
5.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该第二氧气扩散阻隔层包括氧化铝，且该第二氧气扩散阻隔层的厚度为0.3nm至1nm。
6.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该第二氧气扩散阻隔层包括氮氧化钛，且该第二氧气扩散阻隔层的厚度为3nm至10nm。
7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该第三氧气扩散阻隔层包括氧化铝，且该第三氧气扩散阻隔层的厚度为1nm至10nm。
8.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该些存储器堆叠之间相距10nm至40nm。
9.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，更包括：
一第一导电接触，形成于一第一介电层中，其中该底电极形成于该第一介电层和该第一导电接触上，且该第一导电接触物理性地接触该底电极；
一第二介电层，形成于该顶电极上；以及
一第二导电接触，形成于该第二介电层中；
其中该第二导电接触物理性地接触该顶电极；
其中，该第一导电接触和该第二导电接触为对角设置。
10.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，该些存储器堆叠形成为条状、方形、圆形、环状构造。
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