[发明专利]一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法

权利要求书

1.一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将金刚线切割的多晶硅片浸入碱性溶液中处理，蚀刻去除硅片表面的机械损伤层；第二步，将经第一步处理后的多晶硅片置于第一混合液中黑硅处理，所述第一混合液为氢氟酸、双氧水、金属盐、添加剂和去离子水的混合溶液，即采用金属催化、化学刻蚀经镀银挖孔一体化处理后在多晶硅片表面形成纳米多孔硅结构；第三步，将经过第二步处理过的多晶硅片浸入第二混合液中进行制绒处理，所述第二混合液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，使得纳米孔洞的孔径达到500-800nm，使得硅片表面形成蜂窝状形貌的绒面结构；第四步，将经第三步处理过的多硅晶片置于氢氧化钠、氨水和双氧水的碱性混合溶液中进行碱洗加脱银；第五步，将第四步处理后的多晶硅片用酸混合溶液清洗后，再用去离子水清洗，最后烘干即得多晶硅绒面片。

2.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第一步中所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、氨水或四甲基氢氧化铵中一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第一步中所述碱性溶液的质量分数为5-10％，处理温度为50-70℃，处理时间为3-5min。

4.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第二步中第一混合液中氢氟酸的质量分数为20-50％，双氧水的质量份数为20-55％。

5.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第二步中所述金属盐为硝酸铜、硝酸银、硝酸钯、氯化铜、氯金酸、氯铂酸、铬酸钾或硫酸镍中一种或几种混合，金属盐的摩尔浓度为1×10^-6-5×10^-2mol/L。

6.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第二步中所述添加剂为甲醇、乙醇、聚乙二醇、甲酸、多元脂肪醇酸、维生素C、柠檬酸、葡萄糖、甲胺或乙二胺中的一种或几种混合，添加剂的浓度为1×10^-4-5×10^-2mol/L。

7.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第二步中黑硅处理的温度为10-50℃，时间为1-5min。

8.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第三步中第二混合液中氢氟酸浓度为1.5-5mol/L，硝酸浓度为4-7mol/L；制绒处理的温度为10-30℃，时间为1-5min。

9.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第四步中所用的碱性混合溶液中氢氧化钠的质量分数为3-10％，氨水的浓度为0.3-0.7mol/L，双氧水的浓度为0.3-0.7mol/L；碱洗的温度为0-25℃，时间为2-5min。

10.根据权利要求1所述的一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，第五步中酸混合溶液由氢氟酸和盐酸混合而成，所述氢氟酸的浓度为1.5-5.0mol/L，盐酸的浓度可为3.0-6.0mol/L，酸混合液清洗条件为10-50℃，清洗30～120s；去离子水清洗80s，清洗温度为60℃；烘干时间为120s，烘干温度为70℃。