[发明专利]一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法有效
申请号: | 201710493427.3 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107221509B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 王玲;彭林源 | 申请(专利权)人: | 南京矽邦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吕朦 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 识别 产品 qfn 框架 位置 信息 方法 | ||
1.一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将QFN引线框架上的QFN产品进行排列,对每个QFN产品定义一个单颗排列矩阵,同一QFN引线框架上的不同QFN产品的单颗排列矩阵不同;所述单颗排列矩阵的整个矩阵中只有一个元素是蚀刻点;
S2:在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点,得到蚀刻的点的排列矩阵,且蚀刻的点的排列矩阵与步骤S1中单颗FNQ产品的单颗排列矩阵相对应;在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点的方法为干蚀刻或湿蚀刻中的一种;
S3:分别获取步骤S1中单颗QFN产品在引线框架上单颗排列矩阵的位置信息与步骤S2中单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵的位置信息,将分别获取的两种位置信息相对应;然后取消待识别的单颗QFN产品在芯片基座相对应位置的蚀刻点;
S4:检查单颗QFN产品在芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵,获取检查结果,获取单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵中缺少的蚀刻点的位置信息,并将所述缺少的蚀刻点的位置信息与QFN框架上的单颗QFN产品的位置信息相对应,得到单颗QFN产品在QFN框架上面的位置。
2.根据权利要求1所述的识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法,其特征在于,所述识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法可实现对有特殊产品位置要求的实验。
3.根据权利要求1所述的识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法,其特征在于,QFN框架上共有N行M列单颗产品,排列矩阵为N×M的矩阵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造