[发明专利]量子点发光元件

说明书

本发明提供一种量子点发光元件，量子点发光元件的电子注入层和电子传输层含有菲咯啉化合物或喹啉化合物。由本发明提供的发光元件可实现高发光效率及高色再现性。本发明的量子点发光元件可用于量子点显示器、液晶显示器的背光源、照明、计器类等的光源、标示板或标识灯等。

技术领域

本发明涉及量子点发光元件，具体涉及能用于显示元件、平板显示器、背光灯、照明、内部装饰、指向标、广告牌、电子照相机及光信号发生器等领域的阴极和阳极之间发光材料使用量子点材料的量子点发光元件。

背景技术

量子点(Quantum dot)又称纳米晶，由有限数目的原子组成，尺寸均为纳米数量级。受到光或电作用，能发出光，发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。

阴极和阳极之间使用量子点材料的发光材料的发光元件又称量子点发光元件(QLED，Quantum Dot Light Emitting Device)。随着科学技术的不断发展，人们对显示器画质的要求越高，因此量子点发光元件其高色纯度，色饱和度和广色域等优点被认为是未来最具代表性的显示技术。

量子点发光元件的阴极和阳极之间一般包括电子注入层，电子传输层，发光层，空穴传输层以及空穴注入层。一般氧化锌(ZnO)是电子注入层兼做电子传输层使用。但是氧化锌存在粒径不均匀及易发生团聚的问题。通过旋涂方式沉积的膜会出现较为粗糙的现象，导致出现较大的电流泄漏等问题，严重影响到量子点发光元件驱动电压，寿命，发光效率和色纯度性能。

发明内容

本发明的主要目的在于提供能够解决上述现有技术的问题，可降低驱动电压，提高寿命，发光效率和色纯度性能的量子点发光元件。

本发明提供使用具有优异的电子注入和传输性能的发光材料作为电子注入层或电子传输层，电子注入层兼做电子传输层，实现低驱动电压，高寿命，发光效率和色纯度性能好的量子点发光元件。

在本发明中，提供一种量子点发光元件，其为利用电能发光的元件，在阳极和阴极之间存在发光材料，所述发光材料含有式1表示的化合物的电子传送层材料和量子点发光材料；

其中，X选自含有氮原子或硫原子的稠环，Y为单键且可以单独或组合键合，选自可被取代的烷基、可被取代的链烯基、可被取代的环烷基、可被取代的芳基、可被取代的杂环基、可被取代的硅烷基、可被取代的醚基或可被取代的硫醚基；n是2以上的整数。

为了进一步降低驱动电压，使用式1的化合物优选X为可被取代的喹啉化合物或可被取代的菲咯啉化合物。

特别是考虑到优异的薄膜形成能力，所述量子点发光元件优选使用含有下述式2所示的菲咯啉化合物；

其中，R¹-R⁸可以相同或不同，分别独立选自氢、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的芳烷基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的羧基、可被取代的烷硫基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、卤素、可被取代的卤代烷基、可被取代的卤代烯基、可被取代的卤代炔基，可被取代的氰基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、氨基、硝基、可被取代的硅烷基或可被取代的硅氧烷基；R¹-R⁸至少一种用于连接；n是2以上的整数。

如果发光材料的分子量过大，则升华性降低，真空蒸镀时热分解的概率变大，另一方面，如果发光材料的分子量过小，则因薄膜形成能力变差导致发光元件的性能降低的情况较多。从升华性，薄膜形成能力及合成的容易性方面考虑优选n是2。