[发明专利]防指纹保护薄膜镀膜的制备方法及防指纹保护薄膜镀膜制品

权利要求书

1.一种防指纹保护膜镀膜的制备方法，其具体步骤是：

(1)将待镀基材进行镀膜前的预清洗处理；

(2)将待镀基材放置在真空室内，真空热蒸发用防指纹薄膜AF材料，对真空室进行抽低真空，在真空室低真空度的条件下，开启离子源放电系统，对待镀基材通过离子源放电处理系统，进行表面放电处理；

(3)对真空室进行抽高真空，在高真空度条件下，采用磁控溅射溅射氧化硅或者氧化铝靶材，在基材表面沉积氧化硅或者氧化铝硬质过渡层；

(4)待镀基材在沉积氧化硅或者氧化铝硬质过渡层后，再采用电阻式热蒸发的形式，蒸发防指纹薄膜AF材料，在基材表面生成均匀的防指纹薄膜AF材料；

(5)真空室内，防指纹薄膜AF材料蒸发完成后，关闭热蒸发电源，完成整个防指纹薄膜的制备流程；

(6)真空室恢复大气压后，取出完成防指纹薄膜镀制的产品,并进行表面水接触角和耐磨性能测试。

2.根据权利要求1所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于:

上述步骤(1)中所述的镀膜前的预清洗处理为待镀基材进行超声清洗，其依次采用丙酮，酒精，去离子水超声处理，超声时间分别为15分钟。

3.根据权利要求1所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：上述步骤(2)中离子源放电处理条件为：真空室内真空度的范围值为2-10Pa，常温条件下放电处理5-15分钟。

4.根据权利要求3所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：所述真空室内真空度的优选为5Pa，放电处理的时间优选为15分钟。

5.根据权利要求1所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：上述步骤(3)中，所述磁控溅射方式溅射氧化硅或者氧化铝硬质过渡层，磁控溅射的真空度为1.0×10^-3Pa-5.0×10^-3Pa，采用的是中频电源或者射频电源进行溅射。

6.根据权利要求5所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：所述真空室内真空度的优选为3.0×10^-3Pa。

7.根据权利要求1所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：上述步骤(3)中，所述氧化硅或者氧化铝硬质过渡层的厚度范围值为10-100nm。

8.根据权利要求7所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：所述氧化硅或者氧化铝硬质过渡层的厚度优选为50nm。

9.根据权利要求1所述的防指纹保护膜镀膜的制备方法，其特征在于：上述步骤(4)中，所述热蒸发防指纹薄膜AF材料的真空度范围为1.0×10^-3Pa-5.0×10^-3Pa，优选气压为3.0×10^-3Pa。

10.根据权利要求1至9任一项所述的防指纹薄膜镀膜的制备方法制得的防指纹薄膜镀膜制品，其特征在于：依次包括成层状结构布置的待镀基材、硬质过渡层及防指纹保护薄膜层。