[发明专利]一种氮化镓晶圆片边缘处理方法在审
| 申请号： | 201710495263.8 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107123588A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 谢宇 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K26/142;B23K26/38;B23K26/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓晶圆片 边缘 处理 方法 | ||
1.一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于，所述处理方法为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理。
2.根据权利要求1所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理的步骤包括：
S1，在待处理的氮化镓晶圆片边缘设置预切割图形，然后将所述氮化镓晶圆片置于激光工作台上，调整所述氮化镓晶圆的位置，确定所述氮化镓晶圆表面与激光束垂直，所述氮化镓晶圆片的中心点与所述激光工作平台的中心点重合；
S2，将所述激光束聚焦于所述预切割图形位置进行切割，从而完成全切和切边或者切槽处理。
3.根据权利要求2所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述步骤S2中，在进行切割的同时使用保护性气体对切割位置进行同轴吹扫。
4.根据权利要求3所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述保护性气体为氮气或者氩气、氖气、氦气惰性气体中的一种或多种的混合气体。
5.根据权利要求2所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：进行所述步骤S2之后，还包括对边缘切割面进行清洗的步骤。
6.根据权利要求1所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：采用光纤激光器激发的激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理。
7.根据权利要求2所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述激光束的焦距位于所述氮化镓晶圆片边缘位置的表面至底面之间。
8.根据权利要求1所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述激光束的光斑直径不超过100微米，激光器基模参数M2小于1.8，所述激光束的脉冲频率不超过1000Hz，所述激光束的平均脉冲功率不低于0.1W，所述激光束扫描速度不低于2mm/s。
9.根据权利要求1所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理的工作温度为20～400℃。
10.根据权利要求1所述的氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于：所述氮化镓晶圆片边缘切割厚度在300微米以上。
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