[发明专利]一种全隔离直流大电流同步整流电路在审
| 申请号： | 201710495494.9 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107086794A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 绍辉 | 申请（专利权）人： | 山东佳泽睿安信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250000 山东省济南市历下区经*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 直流 电流 同步 整流 电路 | ||
1.一种全隔离直流大电流同步整流电路，包括高频变压器L5，其特征在于，所述高频变压器L5的一端接R2的一端、C6的一端、D5的负极、VT3的漏极；L5的另一端接R3的一端、C7的一端、D6的负极、VT4的漏极；R2的另一端VT4的栅极；R3的另一端接VT3的栅极；L5的中心抽头接C8的正极和负载FZ的一端；D5的正极、C6的另一端、VT3的源极和衬底与D6的正极、C7的另一端、VT4的源极和衬底以及C8的负极、负载FZ的另一端连接在一起。
2.根据权利要求1所述的一种全隔离直流大电流同步整流电路，其特征是：所述VT3和VT4是MOSFET同步整流管，D5和D6是并联在VT3和VT4 MOSFET同步整流管的体二极管上的肖特基二极管。
3.根据权利要求1所述的一种全隔离直流大电流同步整流电路，其特征是：所述R2是VT4的栅极分压电阻，R3是VT3的栅极分压电阻，C6是VT3的源-漏保护电容，C7是VT4的源-漏保护电容，C8是滤波电容，FZ是负载。
4.根据权利要求1或3所述的一种全隔离直流大电流同步整流电路，其特征是：所述R2、R3分别为10Ω-1KΩ电阻，C6、C7分别为1nF-220 nF的电容。
5. 根据权利要求1或2所述的一种全隔离直流大电流同步整流电路，其特征是：所述D5、D6分别为MBR40100肖特基二极管，VT3和VT4是30A/100V的2SK3708或 FDB86102LZ等N沟道 MOSFET大功率场效应管，C8是470μF -6800μF的滤波电容。
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