[发明专利]一种钙钛矿光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710495524.6 申请日: 2017-06-26
公开(公告)号: CN107342365B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 程书博;刘孟思;熊艳 申请(专利权)人: 长江大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 代理人: 胡清堂
地址: 434023 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿光电探测器,包括依次相连的基底(1)、共混活性层(2)、电极(3),其特征在于:所述共混活性层(2)为钙钛矿和聚3-己基噻吩共混使聚3-己基噻吩包裹在钙钛矿表面而成,所述钙钛矿为钙钛矿纳米粉体(4),钙钛矿化学式为CH3NH3PbA3,其中A=I、Cl或Br。

2.如权利要求1所述的钙钛矿光电探测器,其特征在于:所述共混活性层厚度为50~500nm。

3.如权利要求2所述的钙钛矿光电探测器,其特征在于:所述基底为二氧化硅、陶瓷片或聚合物薄膜。

4.权利要求1至3任一项权利要求所述钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤包括:

S1、将基底清洗、吹干、用紫外-臭氧处理;

S2、配制钙钛矿前驱体溶液,然后通过溶剂诱导法结晶形成钙钛矿纳米粉体分散液;

S3、配制聚3-己基噻吩溶液;

S4、配制钙钛矿和聚3-己基噻吩的共混溶液;

S5、使用旋涂或刮涂方式在基底上制备钙钛矿和聚3-己基噻吩共混薄膜,热退火处理后得到共混活性层;

S6、采用蒸镀法在共混活性层上制备电极。

5.如权利要求4所述的钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤S2中,所述钙钛矿前驱体溶液配制步骤包括:将CH3NH3A:PbA2按摩尔比1:1称取后,溶于N-N二甲基甲酰胺中,形成浓度在300mg/ml~600mg/ml的钙钛矿前驱体溶液。

6.如权利要求4所述的钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤S2中,所述通过溶剂诱导法结晶形成钙钛矿纳米粉体分散液的步骤包括:将钙钛矿前驱体溶液:溶剂按体积比100:1~5混合后,钙钛矿晶体析出形成钙钛矿纳米粉体分散液,所述溶剂为氯苯、邻二氯苯中的一种或几种。

7.如权利要求4所述的钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤S3中,所述聚3-己基噻吩溶液配制步骤包括:将聚3-己基噻吩:氯苯按质量比200:1~3称取后混匀,形成浓度在5mg/ml~15mg/ml的聚3-己基噻吩溶液。

8.如权利要求4所述的钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤S4中,所述钙钛矿和聚3-己基噻吩的共混溶液配制步骤包括:将聚3-己基噻吩溶液:钙钛矿纳米粉体分散液按20:1~2的体积比,混合均匀。

9.如权利要求4所述的钙钛矿光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤S5中,所述热退火处理是在80~120℃下退火处理10~120min。

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