[发明专利]液晶显示装置在审
申请号: | 201710495949.7 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107272278A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 黄善兴 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210038 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示装置。
背景技术
FFS(Fringe Field Switching,边缘电场)技术属于LCD面板广视角技术,广视角技术主要是为了使面板的可视角更宽,也有助于画质、亮度等其它特色表现。
如图1所示,边缘电场液晶显示面板包括上基板1-1和下基板1-2、位于上基板1-1和下基板1-2之间的液晶分子1-6(Liquid Crystal,LC),下基板上设有像素电极1-3和公共电极1-4,像素电极和公共电极之间设有绝缘层1-5,上基板1-1和下基板1-2上靠近液晶分子的内侧均设有PI(Polyimide)配向层1-7。
传统FFS的配向方式采用磨刷配向(rubbing)或光配向,使液晶分子沿着配向层沟道排列。开态时在下基板侧产生的电场下液晶分子旋转;在关态时液晶分子在配向层锚定力的作用下返回初始状态。现有产品响应时间不够快,穿透率有待提升,比如为加快响应时间去减小盒厚必须增加折射率,而这会降低对比度,相反增加盒厚又会减慢响应时间,因此急需改进上述性能。
发明内容
发明目的:针对以上问题,本发明提出一种液晶显示装置,使其能够在制程过程中优化液晶分子的排布,从而能够降低暗态提高对比度和加快液晶分子的回复时间。
技术方案:为实现本发明的目的,本发明所采用的技术方案是:一种液晶显示装置,包括上基板和下基板、设置在上基板和下基板之间的液晶分子,所述下基板上包括第一对电极,所述上基板包括与所述第一对电极对应的第二对电极;所述第一对电极包括第一像素电极和第一公共电极;所述第二对电极包括第二像素电极和第二公共电极;所述第一像素电极和第二公共电极之间、以及第二像素电极和第二公共电极之间均设有绝缘层;
所述第一像素电极和所述第一公共电极产生第一电场,所述第二像素电极和所述第二公共电极产生第二电场;
所述第一电场和第二电场驱动液晶分子从初始位置扭转至预设位置。
进一步,所述下基板还包括第三对电极,所述第三对电极包括第三像素电极和第三公共电极,关态时,第三像素电极和第三公共电极产生第三电场,第三电场驱动液晶分子从预设位置回复至初始位置。
进一步,所述第一像素电极在第三像素电极的上方或下方,第一公共电极在第三公共电极的上方或下方。
进一步,第一像素电极位于第三像素电极的上方,第一公共电极位于第三公共电极的上方,且第三像素电极位于第一公共电极的上方。
进一步,所述上基板在第二像素电极的下方依次设置绝缘层、色层和配向膜层。
进一步,所述上基板和所述下基板之间的液晶分子为正性液晶分子,所述第二像素电极的长度方向与所述液晶分子的配向方向垂直。
进一步,所述上基板和所述下基板之间的液晶分子为负性液晶分子,所述第二像素电极的长度方向与所述液晶分子的配向方向平行。
进一步,所述第二像素电极包括平行排列的多个条状电极。
进一步,所述上基板为彩膜基板,所述下基板为阵列基板。
进一步,上基板和下基板分别设有控制第二对电极和第三对电极的TFT开关。
有益效果:本发明的液晶显示装置能够在开态时控制液晶分子的翘曲,从而提高穿透率,加快液晶分子的开态速度;在关态时加快液晶分子的回复时间,并且在维持盒厚不变基础上可以降低液晶的折射率,液晶折射率的降低使得液晶的散乱常数减小,从而降低了暗态的亮度,最终提高液晶显示的对比度。
附图说明
图1是现有边缘电场液晶显示面板的结构示意图;
图2是本发明的液晶显示装置;
图3是图2所述液晶显示装置的正性液晶的驱动示意图;
图4是图2所述液晶显示装置的负性液晶的驱动示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
如图2所示是本发明液晶显示装置,包括上基板1和下基板2、位于上基板1和下基板2之间的液晶分子(Liquid Crystal,LC)。下基板2上设有第一对电极和第三对电极;第一对电极包括第一像素电极3和第一公共电极4;第三对电极包括第三像素电极5和第三公共电极6;第一像素电极3和第三像素电极5之间设有第一绝缘层7;第三像素电极5和第一公共电极4之间设有第二绝缘层8;第一公共电极4和第三公共电极6之间设有第四绝缘层9。
其中,上基板1为彩膜基板,下基板2为阵列基板。
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