[发明专利]一种P型磷化铟单晶制备配方及制备方法

权利要求书

1.一种P型磷化铟单晶的制备方法，其特征在于，原料组成为：InP多晶料、单质锌、三氧化二硼和红磷；按生成100克P型磷化铟单晶计，InP多晶料为99.5克，单质锌为0.2-0.8克，三氧化二硼的质量不少于32克，所述红磷的量根据理想气体状态方程计算，其中压力控制在2.7-3.5兆帕，温度控制在1062-1100℃，所述InP多晶料经去离子水多次煮沸清洗；所述三氧化二硼为高纯脱水三氧化二硼，脱水后的三氧化二硼含水量在500ppm量级；所述红磷达到6N纯净度；所述锌达到6N纯净度，包括以下步骤：采用垂直温度梯度凝固法，将籽晶、InP多晶料、三氧化二硼、红磷和单质锌装入PBN坩埚，封入与PBN坩埚密合的封装PBN坩埚的石英容器中，抽真空，进行加热，高温高压下进行晶体生长120小时，压力控制在2.7-3.5兆帕，温度控制在1062-1100℃，得到位错密度小于1000cm^-2的高质量P型磷化铟单晶；所述PBN坩埚呈布氏漏斗形，封装PBN坩埚的石英容器与PBN坩埚形状密合，石英容器外设有加热装置，加热装置的加热元件沿PBN坩埚锥体均匀分布，直到放置InP籽晶的PBN坩埚嘴部位，使沿着晶体生长的自下而上的温度梯度为5-12℃/英寸，同时石英容器顶端中央设有轴，所述轴带动石英容器沿着轴心旋转；PBN坩埚锥形区相对于中心轴线的倾角θ等于或小于20度，且成梯度递减。