[发明专利]感光元件及测距系统有效
申请号: | 201710497978.7 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107193010B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 东尚清;李碧洲 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G01S17/08 | 分类号: | G01S17/08 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 传输门 测距系统 感光元件 感光区 读出 非感光区 遮光片 衬底 申请 测距 与非 | ||
1.一种感光元件,其特征在于,包括:P型轻掺杂的衬底、位于所述衬底上方的栅极、位于所述衬底上的信号读出点以及遮光片;所述栅极包括:感光门与传输门;所述感光门与所述传输门之间存在间隙;所述衬底包括感光区与非感光区,所述感光门位于所述感光区,所述信号读出点与所述传输门位于所述非感光区,所述遮光片位于所述非感光区之上;其中,
所述感光门至少包括依次相邻的第一感光门、第二感光门与第三感光门;所述第一感光门、所述第三感光门均为P型重掺杂,所述第二感光门为N型重掺杂;所述第一感光门与所述第二感光门相接触,所述第二感光门与所述第三感光门相接触;所述传输门包括与所述第一感光门相邻的第一传输门以及与所述第三感光门相邻的第二传输门;所述第一传输门与所述第二传输门均为P型重掺杂;所述信号读出点包括与所述第一传输门相邻的第一信号读出点以及与所述第二传输门相邻的第二信号读出点;
所述第一感光门、所述第二感光门、所述第三感光门、所述第一传输门、所述第二传输门上施加各自对应的预设电压信号,以使在所述第一信号读出点读取从所述第一传输门通过的光生信号电荷时,所述第二感光门形成的势阱深度、所述第一感光门形成的势阱深度、所述第一传输门形成的势阱深度依次增大,在所述第二信号读出点读取从所述第二传输门通过的光生信号电荷时,所述第二感光门形成的势阱深度、所述第三感光门形成的势阱深度、所述第二传输门形成的势阱深度依次增大。
2.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,所述第一感光门包括与所述第一传输门相邻的第一感光区以及与所述第一感光区相邻的第二感光区;
在所述第一信号读出点读取从所述第一传输门通过的光生信号电荷时,所述第二感光门形成的势阱深度、所述第二感光区形成的势阱深度、所述第一感光区形成的势阱深度、所述第一传输门形成的第一势阱深度依次增大。
3.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,所述第二感光门包括与所述第一感光门相邻的第三感光区以及与所述第三感光区相邻的第四感光区;
在所述第一信号读出点读取从所述第一传输门通过的光生信号电荷时,所述第四感光区形成的势阱深度、所述第三感光区形成的势阱深度、所述第一感光门形成的势阱深度、所述第一传输门形成的势阱深度依次增大;
在所述第二信号读出点读取从所述第二传输门通过的光生信号电荷时,所述第三感光区形成的势阱深度、所述第四感光区形成的势阱深度、所述第三感光门形成的势阱深度、所述第二传输门形成的势阱深度依次增大。
4.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,所述第三感光门包括与所述第二感光门相邻的第五感光区以及与所述第五感光区相邻的第六感光区;
在所述第二信号读出点读取从所述第二传输门通过的光生信号电荷时,所述第二感光门形成的势阱深度、所述第五感光区形成的势阱深度、所述第六感光区形成的势阱深度、所述第二传输门形成的势阱深度依次增大。
5.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,所述第一感光门、所述第二感光门、所述第三感光门上均施加第一预设电压信号;
所述第一传输门上施加第二预设电压信号,所述第二传输门上施加第三预设电压信号;所述第二预设电压信号与所述第三预设电压信号为互为反向的方波信号,所述第二预设电压信号与所述第三预设电压信号的占空比均为1:1,所述第二预设电压信号的高电平与所述第三预设电压信号的高电平相同,所述第二预设电压信号的低电平与所述第三预设电压信号的低电平相同;
所述高电平高于所述第一预设电压信号的电压值,所述低电平低于所述第一预设电压信号的电压值。
6.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,还包括位于所述衬底与所述栅极之间的P型轻掺杂的外延层;所述外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度;
所述信号读出点位于所述外延层上。
7.根据权利要求1所述的感光元件,其特征在于,还包括位于所述感光门上方允许预设频率的光通过的滤波膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普柯微电子(上海)有限公司,未经艾普柯微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710497978.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。