[发明专利]声表面波器件的晶圆级扇出型封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种扇出型封装结构，包括：

重布线衬底，所述重布线衬底包括设置在所述重布线衬底的第一表面上的第一介质层，所述第一介质层具有用于设置封装焊盘的一个或多个窗口，设置在所述重布线衬底的第二表面上的第二介质层，所述第二介质层具有用于设置连接焊盘的一个或多个窗口，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线；

框架结构，所述框架结构设置在所述重布线衬底的第二表面上，并在所述重布线衬底的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及

芯片，所述芯片设置在所述框架结构上，所述框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述重布线衬底、所述框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。

2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括包封框架结构和芯片的包封结构。

3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述框架结构由感光薄膜介质层形成。

4.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述连接焊盘的表面低于所述第二介质层的表面。

5.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片的第一面上形成有导电柱，所述芯片通过所述导电柱与所述重布线衬底的连接焊盘电连接。

6.如权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述连接焊盘的尺寸大于所述导电柱和/导电柱焊料的尺寸。

7.一种扇出型封装结构的制造方法，包括：

形成重布线衬底，所述重布线衬底包括设置在所述重布线衬底的第一表面上的第一介质层，所述第一介质层具有用于设置封装焊盘的一个或多个第一窗口、设置在所述重布线衬底的第二表面上的第二介质层，所述第二介质层具有用于设置连接焊盘的一个或多个第二窗口，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线；

在所述重布线衬底的第二表面上形成框架结构，从而在所述重布线衬底的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及

将芯片倒装焊接到所述重布线衬底上，其中所述框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述芯片的四周由所述框架结构支撑，由此在所述重布线衬底、所述框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括通过塑封形成包封框架结构和芯片的包封结构。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成重布线衬底借助于载板完成，包括：

在载板上贴覆一层薄膜作为临时键合材料；

在所述薄膜上形成第一介质层并在其中形成一个或多个第一窗口；

在所述第一介质层的第一窗口以及表面淀积金属层；

在所述金属层上制作出所需要的金属布线；以及

在所述金属布线上形成第二介质层并在其中形成第二窗口，从而暴露连接焊盘。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在完成塑封后，将封装结构从载板上剥离，以暴露封装焊盘；以及

在所述封装焊盘上植球。