[发明专利]声表面波器件晶圆级薄型封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构，包括：

硅基板，所述硅基板包括设置在所述硅基板的第一表面上的连接焊盘和连接焊盘周围的介质层，设置在所述硅基板的第二表面上的封装焊盘和封装焊盘周围的介质层，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线和导电通孔；

第一框架结构，所述第一框架结构设置在所述硅基板的第一表面上，并在所述硅基板的四周形成包围圈，中间部分镂空；

芯片，所述芯片设置在所述第一框架结构上，所述第一框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述硅基板、所述第一框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔；

第二框架结构，所述第二框架结构设置在所述第一框架结构之上，并在所述第一框架结构的四周形成包围圈，中间部分镂空，所述第二框架结构的中间镂空部分的尺寸大于芯片尺寸，所述第二框架结构的厚度与所述芯片的厚度基本相同；以及

覆盖在所述第二框架结构和所述芯片上的密封薄膜，其中密封薄膜通过真空压膜或热压膜贴覆在所述第二框架和所述芯片上，然后对所述密封薄膜进行烘烤软化、固化，受热后密封薄膜软化部分流入芯片和第二框架结构之间的空隙，从而固化后的密封薄膜对芯片起固定作用并不沾污芯片表面。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括覆盖在所述密封薄膜上的金属薄膜。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括设置在所述硅基板的第一表面和所述第一框架结构之间的第二介质层，所述第二介质层具有用于暴露连接焊盘的窗口。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述芯片的第一面上形成有导电柱，所述芯片通过所述导电柱与所述硅基板的连接焊盘电连接。

5.如权利要求4所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述连接焊盘的尺寸大于所述导电柱和/或导电柱焊料的尺寸。

6.一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：

在硅基板上形成金属线路层和介质层，以便在所述硅基板的第一表面上形成连接焊盘和连接焊盘周围的介质层，在所述硅基板的第二表面上形成封装焊盘和封装焊盘周围的介质层，以及将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线导电通孔；

在所述硅基板的第一表面上形成第一框架结构，从而在所述硅基板的四周形成包围圈，中间部分镂空；

在所述第一框架结构上形成第二框架结构，并且在圈外形成相应的芯片倒装对位标识，第二框架结构包围在所述芯片的四周，中间部分镂空；

将芯片倒装焊接到所述硅基板上，其中所述第一框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述芯片的四周由所述第一框架结构支撑，由此在所述硅基板、所述第一框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔，所述第二框架结构与所述芯片齐平；

在所述第二框架和所述芯片上贴覆热塑性薄膜；以及

对所述热塑性薄膜进行烘烤软化、固化，受热后热塑性薄膜软化部分流入芯片和第二框架结构之间的空隙，从而固化后的热塑性薄膜对芯片起固定作用并不沾污芯片表面。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括在形成第一框架结构之前，在所述硅基板的第一表面上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成窗口，从而暴露所述连接焊盘，所述连接焊盘的尺寸大于芯片的导电柱的尺寸。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在所述连接焊盘上形成焊料，所述第二介质层和所述第一框架结构的总厚度小于芯片的导电柱高度与焊料厚度之和。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述热塑性薄膜上形成金属层。